根据TrendForce最新研究,AI创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施,传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD(近线硬盘)已出现供应短缺,促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点,特别是大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。
SSD采用 NAND闪存技术,而QLC SSD则是这一技术的分支。QLC代表四层单元 ,意味着SSD中的NAND闪存在每个存储单元中能保存的数据量——在此情况下,每个单元可存储四比特数据。QLC SSDs的主要进步在于其能够在单个单元内容纳更多比特。这是通过使每个单元具有十六种不同的电压状态来实现的,相比早期使用较少电压状态的技术,这一改进带来了更高的存储密度和成本效益。
QLC技术的主要优势之一是成本效益 。通过每个单元存储更多位,SSD制造商可以以更低成本生产更高容量的驱动器。对于云服务提供商(CSP) 和数据中心来说,这意味着在数据中心内可以使用更小、更高密度和更大容量的SSD,有助于整合和优化空间使用。QLC SSD虽然在写入速度上可能无法与SLC或MLC SSD媲美,但它们通常提供卓越的读取性能 。这使得它们成为操作系统驱动器(要求快速启动时间)、涉及纹理流式的游戏 ,以及数据库应用等场景的理想选择。存储密度 QLC SSD 在存储密度上表现出色,且功耗更低。这些特性使它们成为数据中心和 CSP (云服务提供商)的理想选择。
Nearline HDD是近线存储的一种形式,它将那些并不是经常用到,或者说数据的访问量并不大的数据存放在性能较低的存储设备上。这种存储方式要求设备寻址迅速且传输率高,适合存储那些不常用的数据。近线硬盘通常使用磁盘、磁带、光盘等介质,常见的设备包括SATA磁盘阵列和DVD-RAM光盘库。近线存储广泛应用于医疗PACS系统、档案管理等领域,通过数据迁移技术将不常用数据自动归档至大容量SATA磁盘等设备。
若比较QLC SSD和Nearline HDD,前者不仅效能较佳,而且可节省约30%的耗电量。
TrendForce表示,由于全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线,无法及时满足AI刺激的突发性、巨量储存需求。目前NL HDD交期已从原本的数周,急剧延长为52周以上,加速扩大CSP的储存缺口。北美CSP早已规划于温数据应用扩大采用SSD,但因为这波HDD缺口严峻,CSP甚至开始考虑于冷数据采用SSD,然而,要迈向大规模部署须先解决成本和供应链的双重挑战。
QLCEnterprise SSD供应商Solidigm亚太区销售副总裁倪锦峰此前表示,目前AI使得HDD局限性愈发明显,公司QLC SSD可突破HDD在AI领域的限制,大幅度提升AI存储功耗效率,帮助生态系统更加完善。
三星表示,AI模型规模持续扩大,训练数据量成比例增长,导致对更高存储容量的需求增加,同时推理应用也需要大量数据库存储,从而推动64TB至128TB SSD需求的上升,三星的QLC企业级SSD出货量在2024年下半年预计会比上半年增长三倍。
QLC SSD逆势增长,业界认为它或许可以成为NAND闪存市场的翻盘利器。针对QLC将带来的影响,TrendForce曾表示,北美CSPs(云端服务业者)已开始在Inference AI Server(推理用人工智能服务器)大量采用QLC Enterprise SSD,尤其是大容量规格,并预估,QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%,此比重2025年将再提升。
去年4月,三星率先量产第九代三层单元(TLC) V-NAND,随后在9月又率先推出QLC V-NAND,进一步巩固了其在大容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。
三星的第九代QLC V-NAND汇集了多项创新技术,带来了技术突破:
三星引以为傲的通道孔蚀刻技术,使得双堆叠结构在行业中实现了最高的层数。凭借第九代TLC V-NAND积累的技术经验,优化了单元区和外围电路的面积,使得位密度较前代QLC V-NAND提高了约86%。
“预设模具”技术通过调节单元工作字线(WL)的间距,确保层间及层内单元特性的均匀性与优化。随着V-NAND层数的增加,这些特性变得尤为重要。采用“预设模具”技术使数据保持性能较之前版本提升了约20%,从而提高了产品的可靠性。
预测编程技术通过预测和控制单元状态变化,减少不必要的操作。借助此技术,三星第九代QLC V-NAND的写入性能翻倍,数据输入/输出速度提升了60%。
低功耗设计技术通过减少NAND单元驱动电压并只感应必要的位线(BL),大幅降低功耗。读写数据的功耗分别减少了约30%和50%。
未来,QLC或将进军消费类嵌入式eMMC、UFS领域,据悉目前已有原厂的UFS采用了QLC作为存储介质发布产品。业界机构预测,2025年大容量QLC Enterprise SSD(企业级固态硬盘)将崛起、智能手机将采用QLC UFS(通用闪存存储)。
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