英伟达800V架构供应商名单曝光，英诺赛科成中国唯一入选芯片企业

英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。这意味着双方正式达成深度合作，双方将携手推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用。此次合作将单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。

值得一提的是，这一消息直接推动英诺赛科8月1日港股股价一度暴涨60%以上。对于合作细节，英诺赛科表示，与英伟达的合作已有一段时间，公司主要凭借大功率氮化镓技术入围。不过，目前合作尚处于测试阶段，暂未产生实质性订单。因公司正处于半年报发布阶段，不便对此次合作前景与影响作出回应。

根据Gartner预测，2027年全球AIDC年新增耗电量将达500TWh，较2024年几乎翻倍，电力成本占数据中心总运营支出的40%以上。传统54V低压架构在单机柜功率超200kW时遭遇物理极限，传统供电架构已难以负荷高密度算力集群的庞大能源需求，效率瓶颈与能耗压力成为阻碍AI产业迈向新高度的核心制约因素。

英伟达主导的800 VDC架构通过两大变革破解困局：

• 电网直连高压化：将13.8kV交流电直接转换为800V直流，减少AC/DC转换环节，端到端能效提升5%；

• 材料与空间优化：电压提升使铜缆用量减少45%，机房占地面积缩减40%，单机柜功率密度支持600kW以上。

行业预测，未来3-5年该技术将带动数据中心供电系统改造市场达千亿规模，渗透率有望突破35%。

通过本次合作，英诺赛科为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，定义下一代AI基础设施的供电标准。随着800 VDC架构的规模化落地，预计将使数据中心总能耗降低20%-30%，年减碳数千万吨，同时机房空间需求缩减40%。

氮化镓成为800V架构的理想载体

传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。作为第三代半导体核心材料，氮化镓（GaN）凭借独特性能成为800V架构的理想载体：

1、高压适配性：3.4eV禁带宽度（硅材料的3倍），在800V高压环境依然能保持稳定性；

2、能效跃升：电子迁移率达硅器件3倍，能源转换损耗降低30%，峰值效率突破98%；

3、空间压缩：相同功率下体积仅为硅器件的1/5-1/3，功率密度提升至92.4W/cm³，机房占地面积可缩减40%，在AI数据中心的有限机房及机柜空间内塞入更多供电模块，支撑更高密度的算力集群。

对于追求极致能效与紧凑设计的新一代AI供电系统而言，氮化镓成为突破传统供电方案技术瓶颈的最佳材料方案。而英诺赛科是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的IDM企业，根据弗若斯特沙利文的资料，2023年英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一，市场份额达33.7%。

此次英伟达优选英诺赛科作为核心合作伙伴，正是看重其从衬底、外延、芯片设计到封装测试的IDM全链优势：其自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率达95%以上，推动成本下降40%，是目前业界最先进的生产线之一，产能居行业首位；第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景；高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，系统性提升整体转换效率，实现从电网到GPU的端到端的高效传输。

英诺赛科产能扩张

此前有报道称，英诺赛科正加速其8英寸氮化镓晶圆产能的扩张。公司计划将当前每月13000片的产能提升至2025年底的20000片。长远目标是未来五年内将月产能进一步扩大至70000片。这一增长得益于其8英寸晶圆制造工艺的持续成熟与超过95%的良率。

英诺赛科坚定推行其IDM模式，并把战略重心明确放在8英寸GaN产线的工程化成熟度上。公司高层判断，尽管12英寸晶圆理论上可带来更高的芯片产出，但其大规模商业化仍面临核心挑战，尤其是MOCVD设备（金属有机化合物气相沉积设备）的成熟度不足，尚无公开的12英寸GaN外延解决方案。

英诺赛科预计，12英寸GaN的产业化最早要到2030年才能进入大规模商业化阶段。在此之前，公司将致力于最大化8英寸平台的规模效应和成本优势，持续提升良率并扩大产能，以满足当前及未来几年市场对高性能、高可靠性氮化镓器件的旺盛需求。