根据三星电子当地时间7月8日公布的业绩数据,按合并财务报表口径计算的公司今年第二季度营业利润同比减少55.94%,为4.6万亿韩元(约合人民币239.9亿元)。销售额同比减少0.09%,环比下降6.49%,为74万亿韩元。
营业利润环比也下滑31.24%,比韩联社旗下金融信息子公司联合Infomax统计的市场预期(6.0069万亿韩元)低23.4%。以单季营业利润为准,为2023年第四季度(2.8247万亿韩元)以来的最低值,以历年第二季度为准,则为2023年第二季度(6685亿韩元)以来的最低纪录。
据报道,三星电子将利润下滑归咎于美国对中国先进人工智能芯片的限制。三星电子在声明中指出:“由于库存价值调整和美国限制中国先进人工智能芯片的影响,负责芯片业务的设备解决方案(DS)部门的利润环比下降。”
声明中还表示,其改进的高带宽内存(HBM)产品正在接受客户评估,并继续发货。路透社指出,其声明中并未就此进行进一步说明。三星目前已转而加快HBM4产品的研发进程。
此前,三星电子 DS(半导体)部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国,与英伟达就 HBM3E 12 层产品供应及代工业务进行一系列洽谈,争取可能的订单。
目前,三星的首要任务之一就是向英伟达供应 HBM3E 12 层产品,该公司从去年开始就积极争取英伟达的质量认证,不过遭英伟达驳回,目前,三星正以改进设计的新版本重新申请英伟达认证并尝试向其供货。
作为比较,近期三星已成功向 AMD MI350X 系列 AI 芯片供应 HBM3E 12 层产品,这一进展在很大程度上打消了外界对其品质的担忧,也提升了通过英伟达认证的可能性。如果三星顺利获得英伟达订单,将与目前在 HBM 领域领先的 SK 海力士以及美国美光展开更为激烈的竞争。业界普遍推测,全永贤此行还与英伟达方面讨论了第六代 HBM(HBM4)的未来供货方向。该公司竞争对手 SK 海力士和美光已分别在今年 3 月和 6 月向客户交付了基于第五代 10 纳米级 DRAM(1b 工艺)的 HBM4 样品,而三星计划凭借采用更先进第六代(1c 工艺)DRAM 的 HBM4 产品实现技术反超。
一位业内人士表示:“自 HBM3E 进入以来,三星电子的市场份额明显落后于 SK 海力士和美光,在确保向最重要的合作伙伴 NVIDIA 供货方面面临重大挑战,”他补充说,“原定于第二季度进行的 NVIDIA 认证推迟到第三季度末,这表明三星的 HBM 业务, 已经停滞了一年多,很难立即赶上领先的企业 SK 海力士和美光。
由于所有尖端 3 纳米体积的出货量都运往中国台湾台积电,晶圆代工部门也在苦苦挣扎,虽然它正在全力以赴在年内获得 2 纳米客户,但性能似乎不太可能出现好转。目前,台积电的 2 纳米良率已超过 60%,而三星电子保持在 30-40% 左右,行业分析师警告说,一旦开始大规模生产,可能会出现意想不到的变数。
作为最大收入来源的 DRAM 市场也面临挑战。DS Investment Securities 研究员 Lee Soo-rim 表示,“虽然预计 DRAM 价格趋势将稳定到第三季度,但第四季度有可能进行价格调整,”并补充道,“DDR4 DRAM 的使用寿命到期、库存积累需求和关税的影响提供了一些积极影响,但随着 DDR5 DRAM 的价格溢价缩小, 价格调整是意料之中的。
三星电子计划在今年下半年通过量产第六代 10 纳米级 DRAM 来寻求 DRAM 和 HBM 市场的扭亏为盈。兴国证券研究员 Son In-jun 指出:“虽然完成第 6 代 10 纳米 DRAM 的开发本身就是一个好消息,但重要的是要认识到,仅仅完成工艺开发并不能保证后续量产的良率和质量保证,”并补充说,“随着我们度过第三季度,技术竞争力可能会恢复。
三星今日未公布各部门的具体业绩,但韩券商普遍认为,DS部门的营业利润超过1万亿韩元。负责智能手机业务的移动体验(MX)部门和网络项目部门营业利润大约超过2万亿韩元,显示器部门6000亿至7000亿韩元,电视机和家电部门4000亿至5000亿韩元,汽车电子部门3000亿至4000亿韩元。
也有观点预测,三星电子业绩在第二季度触底后,下半年将在存储业务的带动下出现恢复势头。这是因为业内对存储芯片价格上涨的期待提升,加上在芯片淡季支撑业绩的移动和显示器业务也将进入旺季。此外晶圆代工亏损将逐步收窄,AI内存芯片销量有可能在对博通等客户的出货增加中得到改善。与此同时,新机型如Galaxy Z Flip 7 FE、Galaxy Z Flip 7及Galaxy Z Fold 7等可折叠手机的上市,有望为营收带来新的增长动力。
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