三星明年量产400+V10 NAND

据报道，三星电子计划自2026年3月起建设V10 NAND生产线。按照规划，将于3月引进设备，上半年内完成产线搭建，经过试生产和稳定性测试后，于10月启动正式量产。相关投资计划预计在今年下半年正式启动。这是三星电子首次明确披露V10 NAND的量产计划。此前有观测认为三星将在今年量产V10，但三星最终将商用化时点定在2026年。

为提升存储容量，NAND闪存技术发展路线是通过垂直堆叠存储单元实现。目前三星最高堆叠层数的产品是286层V9 NAND，自去年开始量产。V10在V9基础上增加100+层，据悉达到430层。根据此前三星电子透露的规格显示：以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²，较前代提升56%；输入输出接口速度5.6GT/s，提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据悉，V10因堆叠层数增加将应用多项新技术。

首次采用超低温（-70℃以下）蚀刻设备打孔技术，用于垂直堆叠存储单元间的数据传输通道加工，目前正评估应用泛林集团和TEL设备。低温蚀刻设备最大的特点是在极低的温度下，以很高的速度进行蚀刻。这样做的好处是可以减少NAND蚀刻期间的堆叠问题。

区别于前代产品在单一晶圆制造的方式，创新采用“混合封装”技术——将存储数据的“单元”与驱动电路的“外围”分别制作在不同晶圆后接合，该技术被称为“晶圆对晶圆(W2W)键合”。

另外，三星还为字线（与晶体管源极部分连接的线路，负责读取和写入）材料引入钼（Mo）元素，以此取代钨（W）和氮化钛（TiN）材料，可使晶体管内的“电阻”显著降低。

三星预计将采用性能升级的V10产品，重点开发用于数据中心的eSSD。三星电子相关负责人就V10投资及量产计划表示：“正按内部规划推进，但具体细节无法确认。”

SK海力士同样发力400层以上的NAND

据此前报道透露，SK海力士也在探索制造400层以上的3D NAND产品，并计划于2025年量产。

SK海力士并未在自己的晶圆厂进行测试，而是将测试晶圆送往东京电子（TEL），以测试后者最新的低温蚀刻设备的性能。与通常在0~30°C下运行的现有设备不同，TEL新型蚀刻设备能够在-70°C下进行高速蚀刻。其最新的内存通道孔蚀刻技术仅用33分钟便可实现10微米深的高深宽比蚀刻，与之前的技术相比，还可将全球变暖潜能值降低84%。

SK海力士计划在321层NAND中采用三层堆叠结构。然而，在深通道孔蚀刻方面，实现均匀性是一项重大挑战。因此，由于蚀刻垂直孔的难度相当大，因此公司通常采用双层甚至三层堆叠结构进行3D NAND制造。借助TEL的新蚀刻设备，未来可能能够制造出超过400层的3D NAND，即使是堆叠层数较少的结构，也能让内存制造商通过简化流程来降低成本。

SK海力士的目标是生产超过400层的3D NAND产品，这些NAND芯片可能根据其性能采用单层或双层堆叠结构。