HBM4设备，开始生产

韩美半导体公司今日宣布，开始生产其最新的芯片封装设备 TC Bonder 4，该设备专为制造第六代高带宽存储器（HBM4）而设计。

该公司计划于2025年下半年开始批量供应该设备，以配合全球HBM制造商的生产计划。与目前的HBM3E相比，HBM4的性能提升了60%，而功耗仅为HBM3E的70%。该内存芯片最多可堆叠16层，容量也得到了提升，每个DRAM芯片的容量从24千兆位（GB）扩展到32千兆位（GB）。

TC Bonder 在 HBM 制造过程中发挥着关键作用，它通过施加热量和压力来固定堆叠的 DRAM 芯片。全新 TC Bonder 4 的精度显著提升，以满足 HBM4 的严苛规格要求，并升级了软件，提升了易用性。

该公司表示，已经建立了 TC Bonder 4 的量产系统，以确保及时支持全球存储器制造商推出 HBM4，并补充说最新产品将有助于保持其在全球 AI 半导体市场的领先地位。

韩美半导体最近还成立了专门团队“Silver Phoenix”，由 50 多名经验丰富的工程师组成，负责支持 TC Bonder 4 系统的定制、维护和优化。

在AI计算时代，HBM有着举足轻重的地位。HBM是通过垂直堆叠多个DRAM芯片，大幅提升数据处理速度，超越传统DRAM的能力，是一种高价值、高性能的产品。HBM的爆火伴随着2023年ChatGPT的出现，它引发了人工智能市场的爆发式增长。自第一代HBM诞生以来，这项技术已发展至第六代，包括HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。

据韩国媒体《DealSite》最新报道，SK海力士已率先向NVIDIA少量供货HBM4产品，标志着该工艺进入正式商用阶段，并有望助力NVIDIA在2025年第四季度按时推出基于Rubin架构的下一代AI加速器。

SK海力士凭借其在HBM制造良率和工艺成熟度方面的领先优势，再次巩固了其在HBM市场的主导地位。此次率先向NVIDIA供货，不仅彰显其技术实力，也可能在未来的HBM4订单中占据绝对优势地位。据业内推测，SK海力士未来或将获得Rubin架构GPU中相当比例的HBM4芯片订单。

在此前的HBM3E竞赛中，SK海力士就曾因高良率与量产能力成为NVIDIA的主要合作伙伴。此次在HBM4上的“首发”合作，无疑会进一步加强双方在AI生态系统中的绑定关系。

而在SK海力士之后，美光科技（Micron）被认为是紧随其后的竞争者，但其HBM4产品面临良率不及预期、产线调配不足等挑战，因此整体供货能力受到限制。这可能影响其短期内成为NVIDIA主要供应商的进展速度。

三星电子方面虽尚未公布HBM4产品的良率数据，但此前已获得AMD对其HBM3E模块的采用，证明其在高带宽内存领域仍具备一定技术竞争力。业内普遍认为，三星凭借其全球影响力和品牌信誉，可能被纳入NVIDIA的HBM4“供应商池”，但能否实现实际出货尚待观察。

HBM4将成为2026年推出的下一代数据中心和AI GPU的核心内存标准。根据KAIST和Terabyte的研究，NVIDIA的Rubin GPU将采用8个HBM4，而高端的Rubin Ultra则会配备16个HBM4。Rubin的GPU裸片面积预计为728平方毫米，单颗裸片功耗800W，其搭载的HBM4内存总容量可达288-384GB，总带宽16-32TB/s，整个芯片功耗2200W。

HBM4标准的主要技术指标令人瞩目：数据传输速率约8Gbps，拥有2048个I/O接口（部分配置可达4096个），单堆栈带宽2.0TB/s，支持12层或16层堆栈，每层裸片容量24Gb，使得每个HBM4模块的容量可达36GB（12层堆栈）或48GB（16层堆栈），每个HBM4模块的功耗为75W。在封装方面，采用Microbump（MR - MUF）技术，并配备直接芯片冷却（D2C）液冷系统。同时，HBM4还采用了定制的基础裸片架构，集成了NMC处理器和LPDDR内存。

AMD的Instinct MI400则更进了一步，计划提供高达432GB的HBM4内存容量，内存带宽可达19.6TB/s。相较于NVIDIA的Rubin，MI400在内存容量和带宽上的提升，显示了AMD在高性能计算领域的强劲竞争力。

HBM4e作为HBM4的增强版本，数据速率提升至10Gbps，单堆栈带宽提高到2.5TB/s，每层裸片容量最大可达32Gb，对应12层或16层堆栈时，内存容量为48GB或64GB，每个HBM4e模块的功耗提升至80W。HBM4e的出现，将为那些对内存性能有极致需求的应用提供更强大的支持。