客户难寻，三星美国工厂推迟完工

据报道，知情人士透露，由于难以找到工厂产品的客户，三星将推迟在美国得克萨斯州工厂的竣工时间。

2024年12月，三星获得了美国《芯片法案》提供的47亿美元的补贴，要在未来几年在得克萨斯州投资超过370亿美元。这项投资包括位于得克萨斯州泰勒的一家工厂，该工厂旨在生产尖端芯片，原计划于2024年投入使用，不过现在该时间表已推迟至2026年。

一位知情人士表示：“泰勒工厂的建设进度之所以延迟，是因为极度缺乏大客户订单。即便现在引进设备，三星也无法立即开展生产。”另一位芯片供应链高管也指出，三星在奥斯汀已有芯片制造业务，并不急于在新工厂安装芯片制造设备。

据知情人士分析，得克萨斯州当地的芯片需求并不强劲，且三星数年前规划的工艺节点已无法满足当前客户的需求。若对工厂进行全面改造，将是一项耗资巨大的工程，因此三星目前采取观望态度。另有消息人士称，三星最初计划在该工厂生产4纳米芯片，但后来调整计划，增加了更先进的2纳米芯片，以适应市场需求。

三星电子旗下负责建设泰勒工厂的三星物产公司文件显示，截至今年3月，工厂建设已完成91.8%。根据该公司 5 月向韩国金融监管机构提交的文件，工厂完工时间从原定的2024年4月推迟至今年10月底。尽管如此，三星电子仍表示，该工厂仍计划于 2026 年投产，且项目进展顺利。

业内人士分析认为，三星美国工厂能否实现量产，在很大程度上取决于其客户拓展情况。三星代工业务此前遭遇良率不稳定以及订单流失等问题，尽管情况后来有所改善，但美国实施的芯片出口限制措施，仍导致其产能利用率低于行业平均水平。

三星推迟1.4纳米制程，聚焦2纳米

日前，三星电子晶圆代工部门正式宣布，推迟1.4纳米半导体的量产，将量产目标定在2029年，比之前计划晚了两年。三星电子此前曾在2022年透露，计划于2027年开始量产1.4nm半导体，但此次调整后，其相比竞争对手台积电宣布的2028年1.4nm量产目标日期晚了一年。

业内解读称，这可能是三星电子针对目前困境而被迫采取的措施。据估计，去年一年内，由于主要客户退出了三星的先进芯片项目而导致开工率下降，三星的晶圆代工厂亏损了4万亿韩元，约30亿美元。三星代工在制程竞争力上不如台积电。因此，与其争当全球第一，不如专注于提升当前代工业务的策略。尤其是2纳米以上的成熟工艺，其在市场上的需求依旧很高。

从三星的策略调整来看，三星已认识到自己在当前的财务状况下无法与台积电在尖端节点展开竞争，这也意味着台积电已成为尖端节点中最为领先的晶圆代工厂。

根据目前的规划，三星预计在2025年下半年正式量产采用其第一代2nm（SF2）制程的Exynos 2600 芯片，预计将由2026年第一季推出的Galaxy S26 系列智能手机首发搭载。此外，三星系统LSI 事业部已开始构思下一代Eynos旗舰芯片的开发蓝图，并将依循三星晶圆厂的制程路线图，预计在2026年进一步采用第二代2nm（SF2P）制程。