瑞萨放弃SiC，转向AI用MCU和GaN

日本半导体公司瑞萨电子已停止碳化硅 (SiC) 功率半导体的量产，并将推出新产品，包括用于边缘 AI 和 AIoT 市场的微控制器单元 (MCU) 以及用于 AI 数据中心的氮化镓 (GaN) 功率半导体，因为该公司正在重组其业务重点。

据悉，瑞萨电子宣布推出一款专为边缘AI应用而设计的MCU，并于7月2日开始量产。这款基于Arm架构的RA8P1 MCU采用台积电22nm超低漏电工艺制造，较瑞萨电子之前的40nm工艺有所改进，可提升性能和能效。

在AI推理方面，新款MCU的性能比公司早期产品提升了30多倍。此外，该MCU配备了更耐用、能够高速传输数据的MRAM，以及专用的NPU，其AI推理能力高达每秒256千兆次运算（GOPS）。该产品预计将应用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载摄像头和传感器以及需要高速处理的驾驶员监控应用。

在其另一个主要业务领域——功率半导体方面，瑞萨电子推出了一款 650V GaN FET 功率半导体，面向数据中心和电力基础设施应用，采用名为 Gen IV Plus 的制造工艺。与之前的 Gen IV 平台相比，Gen IV Plus 芯片尺寸缩小了 14%，电阻降低了 14%，这有助于降低系统成本、降低输出电容、提高效率和功率密度，最终使价格降低约 10%。

650V GaN FET 是瑞萨电子自 2024 年收购美国 Transphorm 公司进入 GaN 市场以来推出的首款 GaN 产品。瑞萨电子目前在福岛的 6 英寸晶圆生产线上生产 GaN 半导体，但将于 2027 年过渡到 8 英寸晶圆，并将生产外包给三垦电气的美国子公司 Polar Semiconductor。此外，瑞萨电子未来还考虑过渡到 12 英寸晶圆。

在核心功率半导体业务方面，瑞萨电子已表示将退出绝缘栅双极晶体管（IGBT）和SiC功率半导体领域，转而专注于面向AI服务器等新兴领域的MOSFET和GaN技术。

据悉瑞萨放弃SiC功率半导体制造的两大主要原因是市场需求下滑和来自其它制造商的激烈竞争。

部分欧洲国家近两年来电动汽车补贴退坡，削弱了当地市场的电动汽车销售，而非中国市场电动汽车的整体降温连带影响了上游的SiC器件领域。

另一方面，中国SiC半导体企业受惠于供应链本地化，且产品定价拥有竞争力，这意味着瑞萨如若进入这一市场势必面临严峻的价格战。

瑞萨电子认为，该业务很难实现收支平衡，首席执行官柴田英利（Hidetoshi Shibata）在二月份的一次简报会上表示：“我们认为（市场状况）极其严峻。”

在过去几年里，SiC（碳化硅）一直是半导体行业最炙手可热的领域之一，特别是在电动汽车（EV）和工业应用的推动下，市场规模迅速扩大。然而，随着全球汽车市场增长放缓，工业市场需求疲软，以及SiC供应链的技术升级挑战加剧。

当前，SiC行业正经历一场深刻的变革。企业业绩下滑、工厂关闭、裁员潮和管理层更迭频繁发生。Wolfspeed公司的破产便是最典型的案例。6月30日，美国芯片制造商Wolfspeed宣布，该公司已提交第11章破产保护申请。当前，该公司正面临电动汽车市场需求放缓带来的巨额债务问题。

Wolfspeed表示，截至2025财年第三财季（2025年1月至3月），该公司持有13亿美元现金，并预计到今年第三季度完成破产重组程序。该公司在一份声明中称：“在整个重组过程中，Wolfspeed将继续正常运营，包括向客户交付碳化硅材料与设备，并按常规流程向供应商支付款项。”

完成破产重组后，Wolfspeed预计其总债务将减少约70%，即近46亿美元，同时其年度现金利息支出将减少约60%。

今年5月份，Wolfspeed就提出了持续经营的疑虑。6月早些时候，Wolfspeed宣布已与债权人以及瑞萨电子美国子公司达成重组协议。该协议将获得部分现有债权人提供的2.75亿美元新融资支持，并有助于减轻债务负担。

此前，知情人士透露，Wolfspeed将在阿波罗全球管理公司等债权人接管下进行破产重组，以削减数十亿美元的债务。据悉，该公司将很快与债权人宣布一项所谓的预先包装破产协议。在签署重组支持协议后的几周内，Wolfspeed将要求债权人对该协议进行投票，然后再提交第11章破产申请。