2025年SiC晶圆市场增速将放缓至20%

碳化硅 (SiC) 功率半导体市场曾被视为电动汽车革命的支柱，如今正面临越来越大的挑战。电动汽车需求低于预期，加上中国制造商的积极生产，给全球 SiC 市场格局带来了压力。

行业分析师表示，美国碳化硅晶圆龙头企业Wolfspeed预计将申请破产，凸显了中国日益加剧的价格压力和产能过剩问题。在国家补贴的推动下，中国制造商正向市场大量供应低成本的碳化硅晶圆，导致价格下跌，扰乱了全球供应格局。

雪上加霜的是，日本瑞萨电子已终止了其电动汽车碳化硅 (SiC) 组件的量产计划。据悉，该公司原计划于2025年初在其高崎工厂投产。但随着电动汽车销量增长放缓、市场环境恶化以及中国产量大幅增长，瑞萨电子以利润率难以为继为由，选择放弃该项目并解散其开发团队。

中国的低成本战略推动市场动态

SiC 能够处理比硅更高的电流，从而提升了电动汽车动力总成应用中的续航里程。虽然长期需求预计将上升，但短期挑战依然存在。富士经济估计，2024 年 SiC 晶圆市场规模将达到 1436 亿日元（约合 9.9962 亿美元），由于单价下降，销量增长将超过收入增长。

富士经济2025年5月报告指出，尽管SiC功率半导体需求减弱，但中国制造商在2024年仍将SiC晶圆销量（以平方米计算）增长了81.9%。然而，低成本的6英寸晶圆引发了价格下跌，导致市场价值增幅限制在46.1%。

展望2025年，8英寸SiC晶圆生产线投资延迟预计将使销售面积和市场价值的增长均抑制在20%左右，与2024年的强劲增长相比将大幅放缓。

尽管8英寸晶圆被视为未来市场扩张的关键，但中国激进的定价策略仍在持续抑制整体价格，尽管销售领域稳步增长，但仍限制了潜在的收入增长。6英寸晶圆仍占据主导地位，占销售额的90%以上，而4英寸晶圆的市场份额正在下降。预计8英寸晶圆市场将在2026年后实现快速增长。

预计到2035年，SiC芯片市场规模将增长至6195亿日元，比目前水平增长3.3倍。

第四代半导体，蓄势待发

除了SiC之外，其他下一代半导体材料，例如金刚石、氮化铝（AlN）和二氧化锗（GeO₂）晶圆，也正日益受到关注。尤其是金刚石晶圆，预计将于2026年左右随着2英寸晶圆的商业化而开始进入市场。预计金刚石功率半导体市场将快速增长，到2035年市场规模将达到46亿日元。

氮化铝晶圆已开始出货4英寸样品，其应用前景广阔，并有望在未来几年实现正式量产。同样，二氧化锗晶圆也即将推出6英寸外延片，预计将于2030年左右上市。

应用场景广泛

新能源汽车领域：在新能源汽车的逆变器、充电器等关键部件中，第四代半导体器件能够显著提高能源转换效率，降低能耗，延长电池续航里程。例如，使用氧化镓功率器件可有效减小逆变器的体积和重量，提升其功率密度。

5G通信领域：5G网络对信号的高速传输和处理能力提出了更高要求。第四代半导体凭借其高频、高响应速度特性，可用于制造高性能的射频器件，提高信号质量和传输速度，满足5G基站等设备对通信性能的严苛需求。

电力电子领域：在智能电网、可再生能源发电（如太阳能、风能发电）等场景中，第四代半导体可大幅提升电力转换和传输效率，减少能源损耗。比如在光伏逆变器中应用碳化硅或氧化镓器件，能提高发电效率和稳定性。

目前，第四代半导体材料的研究已取得一定成果，但在产业化进程中仍面临诸多挑战。大尺寸单晶制备技术难题尚未完全攻克，导致材料成本居高不下，限制了其大规模商业化应用。以氧化镓为例，由于其高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。此外，相关的器件设计、制造工艺以及封装技术等也有待进一步完善和优化，以充分发挥第四代半导体材料的性能优势。