南亚科技加速布局AI DRAM，定制内存项目有望2026年取得验证

据报道，南亚科技正在加速布局AI DRAM，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下从定制领域分得一杯羹。

南亚科技总经理李培瑛表示，AI 应用内存的四大关键元素分别是高密度先进 DRAM、3D TSV 硅通孔工艺与多芯片封装、HBM 设计能力、逻辑 Base Die。

南亚科技目前已完成高密度先进 DRAM 技术部署，正同伙伴补丁科技、福懋科技一道推进 TSV 和封装，HBM 设计和逻辑制程 Base Die 则将以战略性投资与合作形式实现。其定制化 DRAM 项目预计最快可在 2026 年取得验证，2026 年底至 2027 年贡献业绩。

对于当前市场环境，由于三大内存原厂减产停产 DDR3、DDR4，南亚科技正承接转单需求。而在市场提前备货的趋势下，南亚科技有望在三季度清理完毕库存，四季度力拼扭亏为盈。

南亚科技一季度业绩

南亚科公布第一季财报，受传统淡季以及单价持续下滑影响，税后净损19.41亿元，亏损比上季与去年同期扩大，每股亏损0.63元，为五季来新低。第一季营收71.88亿元，季增9.3%，年减24.4%，毛利率下降15%，季减4.4%，年减12.1%，营业利润率下降43.9%，季减1.1%，年减13.%，净利率下降27%。

其中，第一季DRAM平均售价季减低个位数百分比 (1-3%)，销售量季增高个位数百分比 (7-9%)。10nm级第二代制程 (1B) 投片已在第二季达到产能的三分之一，16Gb 5600 DDR5产品上季开始交货，速度6400的产品第二季送样中。同时，10nm级第三代制程 (IC)、第四代制程 (ID) 与定制化产线开发如期进行，将进一步加强公司在市场上的差异化竞争力。

在谈及美国关税影响，南亚科技表示，公司直接销美比重低，预期影响较小。其中，直接出口美国的DRAM产品比例不高，但仍以颗粒、模组与封装后等多元形式供应客户，加上大多数美国客户并非将产品运至美国，因此影响有限，会由客户调整，未来随市场变化，也会依据客户需求进行相应调整，降低潜在的关税影响。

展望二季度，服务器需求依旧强劲，云端服务厂商持续投资服务器；手机主要受惠短期补贴政策带动需求，长期则边缘运算推升AI手机普及率；PC也随着低成本的AI开源模型问世，有利 AI PC换机需求及DRAM的搭载量。而消费型电子终端产品，短期改善需求，加上库存降低，有助推升单价，但长期恐因关税引起不确定性。

南亚科技增资PieceMakers，进军HBM

2024年12月18日，南亚科技宣布与PieceMakers建立战略合作伙伴关系，共同开发客制化的超高带宽内存解决方案。作为合作的一部分，南亚科技将认购最高6.6亿新台币的现金增资，以每股30新台币的价格购买最多2200万股PieceMakers普通股。增资完成后，南亚科技预计将收购PieceMakers高达38%的股份。

此次合作将结合南亚科技的10纳米级DRAM创新技术，以及PieceMakers在定制DRAM设计方面的专业知识，开发高价值、高性能和低功耗的定制化超高带宽内存解决方案，在AI和高性能计算市场解锁新机会。

值得一提的是，PieceMakers是一家专业DRAM设计公司，致力于客制化与标准型DRAM产品开发，长期投入AI高频宽存储器芯片的自主研发、设计及量产销售，产品应用从消费类电子、车用、工业用，及高速运算之AI及区块链等，以满足客户需求。

该公司由丁达刚创立，丁达刚是一位拥有40多年IC产业经验的专业存储器IC设计者。 他在存储器电路设计方面获得了60多项专利和多项国际奖项。 此外，他还在ISSCC和JSSC上发表了多篇重要论文。

从2006年PieceMakers Technology公司成立以来，他一直领导着一群在该产业拥有超过25年经验的存储器电路专家。 该团队在DRAM电路设计和测试方面具有丰富的实战经验。丁达刚台大电机系毕业后，留美电机硕士，在美国英特尔（Intel）、贝尔实验室（Bell Lab）服务，1990年代回国，先后担任钰创科技及南亚科技资深副总经理，与南亚科关系深厚。

丁达刚专长DRAM设计与制造。曾获行政院杰出科学技术人才奖以及经济部产业技术发展前瞻技术个人成就奖。