台积电2nm，或涨价10%

目前，台积电2nm工艺节点在开发过程中表现出色，其缺陷率显著优于3nm和7nm工艺在相同研发阶段的表现。该节点芯片的良率现已达到台积电成熟5nm工艺的水平，并预计将于2025年第四季度正式进入大规模量产阶段。

随着AMD、英伟达、苹果、高通，甚至拥有自有晶圆厂的英特尔等公司的需求不断增长，台积电N2工艺正逐渐成为近年来最抢手的制程节点之一。然而，这也使得这家中国台湾芯片制造商能够收取溢价。

Ctee的一份新报告称，未来几周晶圆价格可能进一步飙升。业内人士推测，这主要是由于在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升、全球经济普遍的不确定性，以及该公司计划收回今年 380 亿至420 亿美元资本支出的部分成本。

据称，台积电 2 纳米晶圆的成本将比之前高出 10%。去年，300 毫米晶圆的预估价格约为3 万美元，而新价格则高达 3.3 万美元。该报道还补充称，英伟达首席执行官黄仁勋认为台积电的尖端工艺“非常值得”。

此次技术跃进的关键在于台积电采用了全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构。相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。这是台积电首次在量产芯片中应用GAAFET架构，标志着其在半导体制造技术上的又一次重大突破。

据称，Nvidia 将在其Rubin Next架构中使用 N2 节点。它还将支持 AMD 的 Zen 6 处理器、苹果的 A21 和 M5 芯片、联发科的 Dimensity SoC，甚至可能是英特尔 Nova Lake 台式机系列的 CPU 模块。

这将促使许多规模较小的原始设备制造商 (OEM) 考虑上一代产品，例如 N3 和 N4。

据悉，AMD 是台积电 2nm 首批客户之一，新一代 Zen 6 EPYC 处理器 Venice 确认将基于 N2 工艺打造，预计 2026 年上市。

AMD 高级副总裁 Dan McNamara 本月 14 日在接受韩国《朝鮮日报》采访时表示台积电 2nm 处于领先地位，他们目前正在集中精力优化 CPU 能效和性能。

当被问及与三星电子代工部门合作的可能，McNamara 表示：“尽管我们与台积电长期保持合作，但 AMD 并非局限于特定企业的公司。只要能够为客户提供最佳产品和服务，我们可以与任何企业开展合作。”

AMD 今年第一季度营收 74.4 亿美元，超过分析师预期的 71.3 亿美元。AMD 的数据中心营收为 37 亿美元（现汇率约合 266.8 亿元人民币），约占总营收的一半。

财报显示，AMD 数据中心业务收入同比增长 57%。该公司计划通过 EPYC 4005“Grado”中低端服务器 CPU 进一步扩大市场渗透率。

McNamara 表示，AMD 计划通过优化能效和性能来增加其市场份额。“每次推出新产品，AMD 都会展示出能效和性能方面的优势。我们正持续强化包括配套软件在内的生态系统构建能力，助力客户高效部署人工智能。”

据此前消息，三星在2nm工艺（SF2）的测试生产阶段实现了超出预期的初始良品率，达到了30%以上。按照计划，三星将于2025年第四季度开始2nm工艺的量产，为Exynos 2600的大规模制造奠定基础。

最近，三星2nm工艺开发团队在实验性生产中取得了一项重要里程碑。目前，该工艺的良品率已提升至40%以上，相比此前的3nm工艺表现更为出色。按照当前的进度，三星有望按时完成Exynos 2600的量产目标。

三星的SF2工艺集成了第三代环绕栅极晶体管（GAA）技术，相较于SF3（3nm）工艺，性能提升了12%，功耗效率提高了25%，同时芯片面积减少了5%。此外，三星还计划在2nm制程节点引入“背面供电网络”（BSPDN）技术，通过将电源轨放置在晶圆背面，解决传统前端供电网络（FSPDN）导致的布线瓶颈问题。这项技术不仅有助于提升芯片性能和能效，还能进一步缩小芯片尺寸。

英特尔的 18A 和 14A 节点也将成为强大的竞争对手，因为它们采用了背面供电等技术，而台积电/三星代工厂还要几年才能拥有这些技术。