苹果20周年纪念版iPhone有望引入Mobile HBM内存技术

据报道，苹果公司正在开发多项技术创新，以纪念 iPhone 问世 20 周年，其中一项技术是移动高带宽内存（Mobile High Bandwidth Memory，简称 Mobile HBM）。

苹果公司正在探索将 Mobile HBM 应用于移动设备的可能性。与传统存储技术相比，Mobile HBM 能够提供极高的数据吞吐量，同时最大限度地降低功耗和存储芯片的物理尺寸。报道指出，苹果计划将 Mobile HBM 与 iPhone 的 GPU 单元相结合，以增强设备上的人工智能处理能力。这种技术有望在不增加功耗或延迟的情况下，支持在设备上运行大型人工智能模型，例如大型语言模型推理或高级视觉任务。

消息还称，苹果可能已经与三星电子和 SK 海力士等主要存储芯片供应商就相关计划进行了讨论。这两家公司都在开发自家版本的 Mobile HBM。报道称三星正在采用一种名为“垂直铜柱堆叠”（Vertical Cu-post Stack，简称 VCS）的封装工艺，而 SK 海力士则在研发一种名为“垂直引线扇出”（Vertical wire Fan-Out，简称 VFO）的方法。两家公司均计划在 2026 年之后实现量产。

然而，Mobile HBM 的制造面临诸多挑战。与目前广泛使用的低功耗双倍数据速率存储器（LPDDR）相比，Mobile HBM 的制造成本要高得多。此外，这种技术在像 iPhone 这样轻薄的设备中可能会面临散热问题，其 3D 堆叠和 TSVs 技术也需要极其精密的封装和良率管理。

该报道还称，2027 年的 iPhone 还将配备一块完全无可见边框的显示屏，屏幕将环绕设备的四个边缘。