上汽英飞凌新增投资3.1亿，扩产无锡功率半导体项目

近日，上汽英飞凌对外公示了无锡扩建功率半导体模块产线项目的环评公告，此次扩建项目拟新增总投资3.1亿元人民币。根据公告，计划选址于无锡分公司，新增第二代框架式功率模块产品150万片产能。扩建项目完成后，上汽英飞凌无锡分公司的年产能将从现有的260万个提升至420万个。

公开资料显示，上汽英飞凌由上汽集团（持股51%）与英飞凌（持股49%）于2018年3月合资成立，总部位于上海。英飞凌无锡工厂成立于1995年，前身为西门子半导体无锡工厂，专注于半导体后道封装测试、功率半导体（如IGBT模块）及智能卡芯片生产。

2025年1月，无锡高新区（新吴区）举行一季度重大项目，其中提到，英飞凌功率半导体器件项目引进暨无锡生产基地扩产项目正在加紧建设，总投资15.5亿元。据无锡市人民政府消息，英飞凌无锡基地还在不断扩大规模，引进全球最新的第三代功率半导体器件产品，打造国内最具规模、国际技术一流的先进功率半导体器件生产基地。