美光通过进口设备提高HBM产量，加剧韩国的竞争

美光科技正通过大规模采购关键设备加速HBM产能扩张，其向韩美半导体（HANMI Semiconductor）和日本新川电子（Shinkawa）订购的TC键合机成为技术竞争的核心。

TC键合机通过热压合技术实现多层DRAM芯片与逻辑基板的连接，直接影响HBM的堆叠层数和良率。当前市场需求最高的HBM3E 12层产品，仅韩美半导体的设备可稳定支持，而日本新川电子的设备最多支持8层堆叠。这一技术差距使韩美半导体在美光供应链中的地位显著提升，其设备曾帮助SK海力士实现HBM市场70%的份额，如今也成为美光突破产能瓶颈的关键。

SK海力士与三星的设备策略则呈现差异化。SK海力士凭借与韩美半导体的长期合作，已实现HBM3E 12层产品的独家供应，并计划2025年推出16层堆叠技术；三星则通过改变采购模式，从2025年起采用“一对多”供应商策略，以加速技术迭代。美光的加入打破了原有的设备供应格局，三强竞争从技术层面延伸至供应链掌控能力。  

美光的HBM产能扩张依托多区域协同的生产网络。中国台湾地区是当前主要生产基地，其通过收购友达光电的两座晶圆厂，将原有面板产线改造为HBM封装线，仅需拆除部分设备即可快速投产，节省了6-8个月建设周期。这种“洁净室改造”模式成为美光短期内提升产能的核心策略。根据TrendForce数据，其HBM月产能将从2023年底的2万片晶圆增至2024年底的6万片，达到SK海力士当前产能（12万片/月）的50%。  

未来产能布局进一步全球化：新加坡工厂聚焦前道工艺，日本广岛工厂负责后道封装，美国爱达荷州与纽约州工厂则分别于2025年和2027年投产，呼应美国《芯片与科学法案》的本土制造目标。此外，美光还计划在马来西亚新建HBM测试生产线，以覆盖AI算力需求增长带来的市场空间。  

市场份额争夺与价格博弈  

三强竞争直接冲击HBM市场格局。SK海力士当前以70%的市占率占据绝对优势，但美光的激进扩张可能改变这一态势。据TrendForce统计，2023年美光HBM市占率仅5%，但2024年有望提升至9%，而三星则从38%增至47.5%。若美光产能按计划释放，2025年三强的市场份额差距可能进一步缩小。  

客户需求多元化加剧了价格竞争压力。一位熟悉SK海力士的消息人士表示：“如果三家公司之间的产量竞争加剧，NVIDIA、AMD和博通等主要客户很可能会要求降低HBM的交付价格。”他还补充道：“高收益的12层和16层产品在HBM产品中的占比将会增加。”

NVIDIA、AMD等大客户已开始利用多供应商策略压低采购成本。当前HBM3E单价约30美元/GB，若美光产能大规模释放，单价可能回落至25美元以下。不过，高堆叠产品（如12层HBM3E和16层HBM4）因技术壁垒仍具溢价空间，预计2025年将占HBM总出货量的70%。SK海力士高管坦言，客户对16层产品的询价量激增，但产能分配压力也随之增大。  

技术瓶颈与未来演进方向  

尽管产能扩张迅速，HBM技术仍面临多重挑战。12层以上堆叠导致芯片功耗密度显著增加，需开发新型散热材料与结构设计；硅通孔（TSV）工艺要求直径缩小至1μm以下，对刻蚀设备精度提出更高要求；此外，铜-铜直接键合技术的突破对实现HBM与SoC的异构集成至关重要，目前仅有台积电等少数厂商掌握量产能力。  

市场需求的爆发式增长推动HBM技术加速迭代。美光预测，全球HBM市场规模将从2023年的40亿美元增至2025年的250亿美元，年复合增长率超150%。AI服务器单机HBM搭载量已达1TB，远超传统服务器的8倍需求。

设备供应商在HBM竞争中扮演关键角色。韩美半导体因技术优势成为最大赢家，2023年营收同比暴涨638%，其TC键合机同时获得SK海力士与美光订单。日本新川电子则通过与美光合作开发新一代设备寻求技术突破。中国台湾的京鼎精密、弘塑科技等厂商也切入HBM供应链，提供清洗机、检测设备等配套产品。

值得注意的是，区域化竞争趋势日益明显。美国通过《芯片与科学法案》推动本土HBM生产，而SK海力士与三星则依托韩国政府的半导体扶持政策巩固优势。