国内氮化镓第一股英诺赛科获ITC案件完全胜利

3月19日，中国GaN芯片龙头英诺赛科宣布其在与美国GaN技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利。

这起专利侵权案始于美国EPC于2023年向加州地区法院和ITC（美国国际贸易委员会）提起诉讼，声称英诺赛科侵犯了EPC的4项专利，包括US’294号专利和其他三项美国专利，并寻求禁售与侵权赔偿。

不久，EPC主动撤诉其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。但对于US’294号专利，ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。其中，US’294号专利与氮化镓（GaN）器件结构及制造方法相关。

英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决，并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC关于US’294号专利的判决有误，应予以推翻。

3月18日，美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利(US’294号专利)作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。USPTO在其最终裁决中指出EPC的US’294号专利所有权利要求均无效，因为它们仅仅是重复氮化镓（GaN）领域的现有且被广泛使用的通用技术。同时，USPTO确定了EPC对英诺赛科的指控并无根据，属恶意竞争行为。

这一判决从根本上否定了EPC针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在EPC发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。

值得一提的是，在EPC对英诺赛科提起专利侵权诉讼调查时，英诺赛科刚刚正式向香港联交所提交A1招股书，计划在港股上市。2024年12月30日，英诺赛科在香港联合交易所主板成功挂牌上市，全球发售4536.4万股H股，发行价格为每股30.86港元。

招股书显示，英诺赛科成立于2017年7月，是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的IDM企业，拥有两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，研发范围覆盖低压到高压（15V-1200V）氮化镓功率器件，产品涵盖氮化镓分立器件、集成电路、晶圆及模组等，已广泛应用于消费电子、手机、激光雷达、数据中心、光伏发电、储能与自动驾驶等多领域。

根据Frost & Sullivan的数据，全球氮化镓功率半导体市场规模经历了惊人的增长，从2019年的人民币1.39亿元迅速攀升至2023年的人民币18亿元，年均复合增长率高达88.5%。随着氮化镓在各个应用场景中渗透率的持续提升，预计这一市场规模将在2028年突破人民币500亿元大关，2024年至2028年的复合年增长率将达到98.5%。预期到2028年，氮化镓功率半导体占全球功率半导体市场的份额将提升至10.1%。

正是由于氮化镓半导体市场发展迅速，相关企业间的竞争日益激烈，专利布局成为必争之地。据悉，宜普公司在氮化镓领域拥有大量专利，在全球拥有 200 多项专利和申请，并认为其专利覆盖了氮化镓技术的关键环节。而英诺赛科截至2024年6月30日，在全球有319项专利及430项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

据了解，英诺赛科在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破，使晶圆晶粒产出数增长80%，单一器件成本降低30%，同时产品良率高于95%，高于行业平均水平。在市场占有方面，2023年英诺赛科市场份额高达33.7%，在全球氮化镓功率半导体公司中排名榜首。在产能方面，截至2024年6月30日，英诺赛科氮化镓晶圆总产能已经达到每月12500片晶圆，累计出货量超过8.5亿颗。