英特尔再次推迟俄亥俄州芯片工厂的建设

2025年3月1日，英特尔正式宣布其位于美国俄亥俄州新奥尔巴尼的“俄亥俄一号”（Ohio One）半导体制造基地的投产时间进一步推迟至2030年后。这一决定标志着该项目自2022年启动以来第二次重大延期，从最初的2025年投产目标，到2027年、再至如今的“下一个十年”，这一波折不仅折射出英特尔自身的战略困境，更揭示了全球半导体产业在供需失衡、地缘博弈与技术竞争下的深刻变革。  

2022年1月，英特尔宣布将在俄亥俄州利金县投资280亿美元建设两座先进制程晶圆厂（Mod 1和Mod 2），并计划将其打造为美国最大的半导体制造综合体之一，最终规划可容纳8座工厂，总投资或达1000亿美元。彼时，英特尔CEO帕特·基辛格称其为“美国半导体制造业复兴的标志”，并承诺2025年投产。  

首次延期

2024年，受全球半导体需求放缓、库存积压及美国《芯片与科学法案》补贴发放延迟的影响，英特尔将首座工厂（Mod 1）的完工时间推迟至2027年，第二座（Mod 2）延至2028年。这一调整被视为对市场现实的妥协。  

二次延期

2025年3月的最新声明显示，Mod 1的完工时间进一步推迟至2030年，投产时间为2030-2031年；Mod 2则延至2031年竣工，2032年投运。英特尔解释称，此举旨在“匹配市场需求”并“优化资本开支”，同时保留加速建设的灵活性。  

内忧外患的交织  

全球半导体行业正经历从“芯片荒”向“产能过剩”的剧烈调整。2024年，消费电子需求持续低迷，DRAM和NAND闪存价格同比暴跌超50%，行业库存周期延长至历史高位。英特尔2024年营收同比下滑，股价跌幅达57%，迫使公司削减资本支出并裁员15%。在此背景下，盲目推进新厂建设可能加剧财务风险。  

英特尔在先进制程领域的落后进一步削弱了其扩张底气。尽管计划在俄亥俄工厂采用14A（1.4nm）及更先进的工艺节点，但台积电和三星已分别于2024年实现2nm量产，并在3nm领域占据主导地位。英特尔的技术追赶需要依赖ASML的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，单台成本高达3.5亿美元，且交付周期漫长。技术差距叠加设备供应瓶颈，使得英特尔不得不放缓产能扩张节奏。  

美国《芯片与科学法案》承诺的520亿美元补贴至今未完全落地，英特尔作为主要受益者之一，其俄亥俄项目仅获得俄亥俄州政府6亿美元的本土化补助，联邦资金到位缓慢加剧了资金压力。与此同时，美国对中国半导体技术的封锁反而刺激了中国自主替代进程，导致英特尔等企业面临更复杂的全球供应链重构挑战。  

尽管英特尔一再推迟建设，俄亥俄州政府仍试图维持对项目的支持。州长迈克·德万（Mike DeWine）表示“失望但理解”，强调英特尔已雇佣本地员工并在其他州工厂进行培训，承诺“项目仍在推进”。州经济发展机构JobsOhio则称，将配合调整后的时间表，确保俄亥俄州成为“美国半导体制造的核心”。  

然而，这一表态难掩隐忧。根据协议，英特尔需在2028年前满足就业与投资承诺，否则可能面临补助返还压力。截至2025年2月，英特尔在俄亥俄项目上仅投入37亿美元，远低于初期规划的280亿美元，且工程进度仅完成地下室和部分地上结构。  

英特尔的困境并非孤例，全球半导体巨头均面临类似挑战：  

三星：美国得克萨斯州泰勒工厂量产时间从2024年推迟至2026年，韩国平泽P4厂设备安装计划延至2026年，并关闭30%的4nm/5nm产线。  

台积电：亚利桑那州工厂因劳动力短缺和技术转移问题进展缓慢，量产时间从2024年延至2025年。  

GlobalFoundries与意法半导体：法国75亿欧元合资项目因市场需求不足而停滞，转向加大对中国市场的投资。  

这一趋势凸显行业共识：在需求不确定性与技术迭代压力下，“激进扩产”正被“审慎投资”取代。

英特尔将俄亥俄工厂定位为“代工制造战略的核心”，旨在与台积电竞争先进制程代工订单。然而，其技术落后与客户信任度不足导致订单稀缺。若未来两年无法突破技术瓶颈，标普警告其可能面临拆分风险。  

尽管美国政府对本土芯片制造的政策支持方向不变，但补贴落地速度与市场需求错位，迫使英特尔在“政治正确”与“商业理性”间艰难平衡。与此同时，其对中国市场的依赖（2023年对华销售额占比27%）与地缘冲突的潜在风险，进一步增加了战略复杂性。