长鑫存储申请半导体封装结构及其形成方法专利，实现芯片通过基底通孔通信互连

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119252825 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括：基底、第一芯片和第二芯片。基底上包括第一凹槽、第二凹槽和基底通孔。第一凹槽形成于基底的正面，第二凹槽形成于基底的背面，基底通孔位于第一凹槽和第二凹槽的外侧。第一芯片植入于第一凹槽中，第二芯片，植入于第二凹槽中。第一芯片和第二芯片，分别电连接至对应的基底通孔，且通过基底通孔通信互连。