SK海力士加快16层HBM3E量产进度，明年上半年量产供货

据报道，SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品，新工艺设备正在引进和测试，现有设备也在优化和维护以适应新产品，主要工艺测试结果也正在顺利出炉。

HBM搭载在AI加速器上，通过堆叠DRAM来实现，性能随着DRAM单元数量的增加而提高。与现有的12层产品相比，16层HBM3E产品在LLM学习方面的性能提高18%，在推理方面的性能提高32%。

SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试，为了响应随着英伟达等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备英伟达最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

据悉，SK海力士目标是明年初向客户提供16层HBM3E样品，2025年上半年实现量产供货，2025年下半年向客户供应HBM4芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。

SK海力士16层HBM3E良率很高

2024年11月，SK海力士在SK AI Summit 2024上发布了业界首款16层堆叠（16Hi）的 HBM3E内存，容量为48GB，每个芯片3GB，可以让AI加速器能够在8个HBM堆栈配置中拥有高达 384GB 的HBM3E容量。

与12层HBM3E产品一样，新的16层堆叠的HBM3E同样采用了MR-MUF封装技术，通过熔化芯片之间的焊料来连接芯片。与12层HBM3E产品相比，多堆叠了4块DRAM，芯片之间的间隙缩小了50%，满足JEDEC HBM高度限制775微米。尽管DRAM芯片之间的差距已经缩小，通过改进材料和设备，成功地有效注入了环氧模塑料（EMC）。

据SK海力士介绍，HBM3E 16层产品封装中实现了与12层产品量产相似的验证良率，是12层产品量产良率的99%。这都得益于先进的MR-MUF技术，因为它并不是一种产品堆叠变多，良率就会急剧下降的技术。SK海力士计划通过MR-MUF技术，未来开发出20层产品。

SK海力士在HBM市场高歌猛进

SK海力士在存储市场上的发展势头十分强劲，尤其在HBM领域，可谓是一马当前。

SK海力士第三季度财报显示，HBM在SK海力士DRAM总销售额中的占比从第二季度的20%迅速增长到第三季度的30%，预计第四季度将达到接近40%。该季度HBM3E出货量已超过HBM3，第四季度12层HBM3E已按计划开始出货，预计明年第一季度12层HBM3E将占HBM3E总出货量的一半以上。

近日，有报道称，SK海力士获得了博通HBM大单，虽然目前没有透露具体的数量，但是此后SK海力士将同时向英伟达和博通供应HBM。值得注意的是，此前有消息称博通正与苹果、OpenAI商讨合作开发AI芯片，博通也曾自曝正与三家云计算供应商讨论提供定制化AI芯片，这三家公司很可能是Google、Meta和字节跳动。种种消息都表明博通在AI芯片领域的野心，这也意味着博通对HBM的需求不会少。

为了满足市场对HBM的需求，SK海力士必须得尽快提升产能。有消息称，原本SK海力士计划2025年HBM的1b DRAM产能扩大到每月14万至15万片，如今与博通达成新供货协议，预期这数字增加到每月16万至17万片。

SK海力士的存储生产基地主要分布在韩国和中国，DRAM生产基地位于韩国和中国无锡。据悉，SK海力士正在考虑将其清州M14、M15X、M16工厂的部分NAND产能转用于生产HBM，并计划将位于韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并加快新工厂的建设速度。同时计划将部分DRAM业务的员工从总部转移到清州园区，负责M15X运行所需的基础设施设置和设备安装。

除了HBM3的产能，HBM4的产能也要提升日程了。此前，英伟达CEO在高层会议上提出，希望SK海力士能将下一代高带宽内存芯片HBM4的供应时间提前六个月，SK海力士原计划在2025年下半年正式向客户交付HBM4芯片。