SK海力士获近5亿美元融资，三星加速最终谈判

12月19日，韩国内存制造商 SK 海力士通过《CHIPS 法案》获得了 4.58 亿美元的资金，用于在印第安纳州建造内存封装工厂。半导体封装已成为生产的关键瓶颈，尤其是在美国芯片生产中。SK 海力士的新工厂将专注于内存封装，除了 4.58 亿美元的直接融资外，该公司还将能够依靠 5 亿美元的额外贷款来建设新工厂。

在拜登政府的推动下，SK海力士成功敲定这项补贴计划。美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示，跨党派通过的《芯片法案》通过对像SK海力士这样的企业和像西拉斐特这样的地区进行投资，持续巩固美国的全球技术领导地位，强化美国的人工智能（AI）硬件供应链至其他国家无法企及的水平。

SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung表示：”SK海力士期待与美国政府、印第安纳州、普渡大学以及我们的美国商业伙伴合作，在美国建立强大而有弹性的人工智能半导体供应链。”

SK 海力士位于印第安纳州的 HBM 内存工厂预计将于 2028 年投入生产

SK 海力士是全球少数几家能够为 AI 产品生产高带宽内存 (HBM) 芯片的公司之一，美光在昨日公布财报后股价下跌了 18%。HBM3e 内存产品市场竞争日益激烈，有报道称三星在质量控制方面遇到了困难，其8 层和 12 层堆叠的 HBM3e 内存样品在性能上未能达到英伟达的严格要求，特别是在数据处理速度等关键性能指标上存在不足，导致其难以进入英伟达的供应链，与此同时美光和 SK 海力士加深了与英伟达的联系。

SK 海力士和三星是韩国仅有的两家大型内存制造商。SK海力士早在今年8月已与美国政府签署初步备忘录（PMT），并经商务部审核后最终敲定协议。此次补贴金额较最初公布的4.5亿美元略增至4.58亿美元。这笔拨款涵盖了先进的 HBM 封装设施和研发设施，这是该公司在美国 38.7 亿美元投资的一部分。

与 SK 海力士的交易意味着它加入了台积电、美光、英特尔和三星的行列，确保全球所有主要的半导体制造公司都在美国占有一席之地。

SK 海力士根据这项拨款设立的新工厂将创造约 1,000 个直接就业岗位，并促进建筑业的发展。这些工厂将主要专注于内存封装，这在业内通常被称为“后端”工艺。与台积电一样，SK 海力士的所有芯片制造工厂都位于亚洲。在韩国，三家工厂位于利川；另外一家工厂位于中国重庆。除此之外，该公司还在圣地亚哥、波兰和中国台湾设有研发办事处。

一旦开始生产（目前计划于 2028 年），SK 海力士位于印第安纳州的工厂将成为美国首家此类工厂。鉴于 HBM 内存在 AI 芯片中发挥的关键作用，这笔交易应该可以防止美国 AI 芯片供应链受到重大干扰。虽然 SK 海力士不在美国生产内存芯片，但美光正在爱达荷州博伊西投资 150 亿美元来生产最新的内存芯片。

美光科技的所有尖端生产设施都位于美国境外，该公司已在纽约和爱达荷州投资了 1000 亿美元，这是美国历史上最大的半导体投资之一。该公司去年 12 月获得了 62 亿美元的 CHIPS 资金，用于爱达荷州的工厂，该工厂的目标是到 2035 年将美国在先进内存制造领域的份额提高到 10%。

SK海力士 还将在 2024 年加大其内存封装力度。据报道，该公司计划在其韩国封装设施上投资高达 10 亿美元。

美国商务部也在本月份敲定，向韩国化学材料龙头SKC子公司Absolics提供7,500万美元补助，用于建造乔治亚州的工厂设施。 SKC与SK海力士均隶属于韩国第二大企业SK集团。

即将上任美国总统的特朗普对半导体补贴持反对态度，此前还公开表示应该通过关税政策鼓励企业在美国建设半导体工厂，而不是提供补贴。因此，多数企业希望赶在拜登政府任期内签署最终协议。

此次随着SK海力士的补贴确定下来，在被列为补贴支援对象的主要芯片企业中，台积电、英特尔、美光等半导体企业的补贴金额已经明确，只剩下三星电子的补贴尚未尘埃落定。三星电子计划截至2030年在美国投资共450亿美元，并已与美国政府签署初步备忘录，预计可获64亿美元补贴，目前正在进行最终谈判。