台积电揭晓2nm工艺细节，揭示了该技术在性能和效率方面的显著提升

在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的 2 纳米（N2）制程技术的更多细节，展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。

台积电在会上重点介绍了其 2 纳米“纳米片（nanosheets）”技术。据介绍，相较于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高达 30%，能效显著提升。此外，得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和 N2 NanoFlex 技术的应用，晶体管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，进一步优化了制程的性能。

通过从传统的 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术过渡到专用的 N2“纳米片”技术，台积电实现了对电流更有效的控制，使得制造商能够根据不同的应用场景微调参数。纳米片技术采用堆叠的窄硅带结构，每条硅带都被栅极包围，相比 FinFET 技术，能够实现更精确的电流控制。

与 3 纳米及其衍生制程相比，台积电的 N2 制程在性能上实现了显著的提升。鉴于其明显的代际改进，预计包括苹果和英伟达在内的行业巨头将大规模采用该制程。然而，伴随性能提升的，是晶圆价格的上涨。据悉，N2 制程晶圆的价格将比 3 纳米制程高出 10% 以上。