英特尔、微芯片案件暴露出《芯片法案》面临的挑战

来源:半导纵横发布时间:2024-12-12 15:11
英特尔
芯片法案
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英特尔和美国半导体政策面临不确定性。

《芯片与科学法案》于 2022 年 8 月由总统乔·拜登签署成为法律,至今已实施两年多。虽然英特尔和微芯片等公司在激励协议和投资计划方面取得了进展,但它们的经历凸显了该法案实施过程的挑战和复杂性。

《芯片法案》吸引了台积电、三星电子、英特尔、GlobalFoundries (GF)、SK 海力士和美光等全球半导体领军企业投入巨资扩大美国生产。该法案旨在通过补贴、贷款和税收减免等激励措施减轻这些大型项目的财务压力。

台积电的亚利桑那工厂支持先进工艺开发和本地产能,但进一步的挑战可能会扰乱该行业。台积电董事长魏哲家强调海外扩张的困难,并指出日本和美国的新工厂将在未来几年影响利润率 2-3%。尽管如此,台积电仍在推进其全球战略,与当地供应链合作。

在日本,台积电位于熊本的第一工厂已经建立了Mini产线,月产能为3000片晶圆。到2025年,该工厂将主要采用28/22纳米工艺生产,月产能将提升至3万片晶圆,最终目标是5.5万片晶圆。位于第一工厂东侧的熊本第二工厂预计将于2024年底动工,计划于2026年第二季度入驻。该工厂将主攻40/16/12纳米工艺,计划于2027年开始量产。到2027年底,熊本第一工厂和第二工厂的合计月产能预计将达到10万片晶圆。

在亚利桑那州,台积电首座采用4纳米技术的工厂的进展面临延迟,但最近已建立了一条Mini生产线。预计将于2025年第二季度开始量产,到2026年第一季度,月产能将逐步增加至约3万片晶圆。然而,与劳动力短缺和成本控制相关的问题仍未得到解决。

位于亚利桑那州的第二家工厂预计将于 2026 年下半年开始投入使用。除了最初宣布的 3 纳米技术外,该工厂还将采用 2 纳米工艺技术。到 2027 年底,4/3 纳米技术的总月产能预计将达到约 50,000 片晶圆,2 纳米技术的生产将于 2028 年开始。台积电还宣布了第三家工厂的计划,计划到 2030 年实施 2 纳米或更先进的工艺技术。

波士顿咨询集团(BCG)和半导体行业协会(SIA)2024年5月的一份报告预测,到2032年,美国晶圆厂产能将增长三倍,实现十年来全球最快的增长速度。其全球产能份额可能从10%攀升至14%,但如果没有《芯片法案》,这一数字可能会降至8%。然而,这波投资热潮也伴随着重大风险。

英特尔和美国半导体政策面临不确定性

唐纳德·特朗普 (Donald Trump) 在 11 月总统大选中的胜利引发了人们对 2025 年新政府上台后美国半导体政策可能发生变化的担忧,这给企业进行计划投资的意愿带来了不确定性。

英特尔是唯一一家拥有先进半导体制造能力的美国公司,有望引领国内供应链振兴。然而,其代工部门——其 IDM 2.0 战略的关键——仍然严重亏损。在大规模裁员和领导层动荡中,IDM 2.0 的缔造者、首席执行官帕特·基辛格已辞职。

英特尔已获得高达 78.65 亿美元的《CHIPS 法案》补贴,但这些资金与增量里程碑挂钩,不太可能解决其财务困境。在持续的挑战中,人们仍对该公司是否有能力实现其数十亿美元的扩张计划表示怀疑。

微芯片退出凸显《芯片法案》障碍

2024年1月,Microchip宣布与美国政府签署一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),以确保获得1.62亿美元的补贴,用于扩大微控制器生产和其他成熟节点的半导体技术。

在收入大幅下滑的情况下,Microchip 于 2024 年 11 月重新聘请史蒂夫·桑吉 (Steve Sanghi) 担任临时首席执行官。桑吉因带领公司在 1991 年至 2021 年期间连续 121 个季度实现盈利而闻名,他取代了 Ganesh Moorthy,带领公司度过日益严峻的财务挑战。

在桑吉的领导下,Microchip宣布关闭位于亚利桑那州的Fab 2晶圆厂,并暂停与美国政府的芯片法案补贴谈判,这是该法案颁布以来,Microchip首次退出相关激励计划,对美国半导体战略造成重大打击。

桑吉承认,当 Microchip 一年前申请补贴时,业界预计晶圆厂产能将持续短缺,从而推动持续扩张。然而,目前的产能过剩已经改变了形势。他强调,政府补贴仅涵盖扩张成本的一小部分,大部分财务责任都由企业承担。

Sanghi 的评论凸显了 CHIPS 法案面临的一个重大挑战:半导体行业波动的兴衰周期。由于晶圆厂项目需要数年才能完成,预测市场状况或公司在此期间的财务稳定性几乎是不可能的。

政府补贴虽然有利,但只能覆盖扩张成本的一小部分,迫使企业承担大部分财务负担。企业自然会根据不断变化的市场条件调整投资计划,往往偏离最初对美国政府的承诺。由于资金是在有缺陷的投资假设下分配的,芯片法案的影响很可能达不到预期。

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