三星和SK海力士将减少DDR4等传统DRAM产量

据韩国经济日报报道，受中国竞争对手大幅增产影响，DRAM价格下滑，导致韩国两大存储器制造商三星电子与SK海力士纷纷缩减传统DRAM芯片产量。SK海力士计划到今年底将DDR4 DRAM的产能降至仅20%。

报道称，全球最大和第二大存储器制造商三星电子与SK海力士还计划增加高频宽存储器（HBM）和企业级固态硬盘（eSSDs）等先进产品的产量。

独立分析师奈斯泰德指出，从盈利角度看，中国的竞争对三星电子的冲击比对SK海力士和美光更大。他还补充说，过去三星和SK或许能通过增产降价迫使中国厂商退出市场，但现在中国厂商似乎愿意承受亏损来发展本国半导体产业。

三星在最近的财报中表示，公司计划削减传统DRAM和NAND闪存的产量。与此同时，业界消息透露，SK海力士在与高盛的投资人关系会议上表示，将逐步降低DDR4 DRAM芯片的产能。

目前，服务器DRAM需求稳定，主要受Google和中国百度等科技巨头持续投资服务器的推动，而PC DRAM芯片的销售却陷入停滞。市场研究机构预测，第4季PC DRAM价格将持平。
值得注意的是，中国的存储公司已跃升为全球第四大DRAM制造商，其月产能不断扩大。预计到今年底，其DRAM产量将占全球市场的10%以上。

据悉，2024 Q2以来，存储原厂为应对互联网巨头们的急单需求，就开始将部分DDR4产能切换至HBM上，至2024年底，原厂将原有约80%的产能切换至DDR5、HBM等高端产品上，DDR4市场预计也将陷入到供给短缺的局面当中。

除此之外，三星与铠侠还计划在第四季度逐步减少NAND闪存的生产。有业内人士称，三星和铠侠的做法反映了至少未来半年的市场趋势，意味着产业面临不景气。即便人工智能市场发展迅猛，看来也支撑不起NAND闪存市场整体需求下降。在此背景下，转战高回报率的HBM等产品，成为存储巨头的共同选择。

三星称将密切监测需求趋势，加速改善业务基本面，推动旧生产线向更高节点迁移，以此增强盈利能力，并加速推动库存水平和产品组合的正常化；同时扩大HBM的产能以推进销售增长，并加速向基于32Gb DDR5的高密度服务器需求的1b纳米过渡。

值得注意的是，三星电子Q3存储营收为22.27万亿韩元(约合161.3亿美元)，环比增长2%，同比增长112%。结合一、二季度，三星电子前三季度存储营收达61.5万亿韩元，比去年同期的28.42万亿韩元，同比增长116.4%。存储业务所在的DS部门经营利润为3.86万亿韩元(约合28亿美元)，环比减少40.2%，同比增长203%。

三星电子特别就引领半导体事业的Device Solution(DS)部门的低迷业绩表示："存储业务虽然服务器和高带宽存储器(HBM)需求坚挺，但由于部分移动客户库存调整和中国存储器企业的通用产品供应增加、一次性费用、环境影响等，业绩有所下降。"

SK海力士也在最近的财报中表示：“面向AI的存储器需求以数据中心客户为主持续表现强势，公司顺应这一趋势扩大HBM、eSSD（企业级固态硬盘）等高附加值产品的销售，取得公司成立以来最大规模的季度收入。尤其是HBM销售额大幅增长，实现环比增长70%以上、同比增长330%以上。”

由于利润丰厚的高端产品销量增加，DRAM和NAND的平均销售价格（ASP）较上一季度均上涨10%左右，使公司营业利润创下最高纪录。

今年以来HBM、eSSD等面向AI的存储器需求显著增长，公司展望明年也将持续此增长趋势，因为生成式AI以多模态（Multi Modal）的形式继续发展，全球科技巨头企业持续投资于通用人工智能（AGI）的研发。

SK海力士还预测，随着针对每种设备优化的AI存储器的发布，与AI服务器存储器相比，需求恢复缓慢的个人电脑和移动产品市场明年也将呈现稳定的增长道路。

因此，该公司将基于其在AI内存领域的世界领先技术，继续通过增加以高附加值产品为中心的销售来提高盈利能力。

SemiAnalysis公司首席分析师Dylan Patel表示SK海力士在HBM市场份额领先，HBM3市场份额超过85%，整体HBM市场份额超过70%。全球研发机构imec的CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam表示，预计竞争将更加激烈。