英特尔High NA EUV光刻机安装完成，还是两台！

在今年的SPIE 大会上，ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet（傅恪礼） 发表了精彩的开幕/主题演讲，重点关注High NA EUV。

去年末，ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。新设备的体积非常巨大，需要使用13个集装箱和250个板条箱来进行运输，将从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地，另外还需要250名工程师并花费6个月完成安装。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

在此次会议上，傅恪礼谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即在客户的现场组装，而不是在ASML组装后拆卸并再次在客户的现场组装设备。

这在处理相对简单的沉积和蚀刻工具以及类似的工具时已经实现结果，但对于高复杂度的光刻设备来说则是另一回事。但这将大大节省时间和成本。这将有助于加快High NA EUV光刻机的发展。

未来High NA EUV光刻机可混合搭配镜头组件

常规EUV光刻设备和High NA EUV光刻设备之间唯一真正的区别是镜头堆栈，因此如果您设计一个镜头堆栈位于中间的设备，则可以将常规EUV镜头、High NA镜头或Hyper NA镜头换到同一个基本工具中。

它具有大量的通用性、更多的成本节约、简单性等。ASML正在采取的模块化方法支持这种方案。这显然有助于降低成本、安装时间，提升利润。

在演示中，傅恪礼还提到，ASML在圣地亚哥拥有稳定的740瓦电源，并且有明确的途径实现1000瓦的供电。

傅恪礼：采用大尺寸掩模将“不费吹灰之力”

去年，英特尔在SPIE上认真提出了将掩模尺寸从6英寸×6英寸增加一倍到6英寸×12英寸的想法。今年的会议上，这项技术得到了许多公司的大力支持，许多光掩模基础设施公司都参与其中。其中最主要也最关键的参与者是ASML，傅恪礼称采用双倍尺寸掩模对于行业来说是“不费吹灰之力”的，ASML为这一变革付出了巨大的努力。

这对ASML来说也意义重大，因为它有助于克服High NA的芯片尺寸限制。40%的性能提升本身就值得进行转换。

Mark Phillips：英特尔已在波兰特工厂安装两台High NA光刻机

英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips紧随傅恪礼之后继续High NA的主题讨论。英特尔现在在波特兰工厂安装了两个High NA系统。

Mark Phillips展示了两个系统的一些非常漂亮的图像，这些图像显示了High NA EUV相对于标准EUV带来的改进，这可能比预期的要好。由于不断学习，第二个系统的安装比第一个更快。

值得注意的是，High NA所需的所有基础设施都已到位并开始运行，High NA的光掩模检查已经开始运行。因此，无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。

Mark Phillips还被问及关于CAR（化学放大光刻胶）与金属氧化物光刻胶的问题，他说CAR目前还不错，但将来可能需要金属氧化物光刻胶。这似乎大大推迟了对金属氧化物光刻胶（如泛林集团的干光刻胶）的需求，使其在更远的未来实现。这对日本JSR或泛林集团来说不是好消息。

目标插入点是英特尔的Intel 14A（1.4nm）工艺，大约需要3年时间，这可能再次比预期的要快。

台积电针对High NA努力谈判，但将被迫跟进

与其迅速接受最初的EUV光刻机推出相比，台积电以成本为由，迟迟不肯接受High NA。

此前，ASML透露其一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是现有EUV光刻机（约1.83亿美元）的两倍多。目前ASML已从英特尔和SK海力士等公司获得了High-NA EUV光刻机的订单，数量在10至20台之间。与此同时，ASML计划到2028年，每年生产20台High-NA EUV光刻机，以满足市场的需求。

据悉，台积电要等到1nm级的A10工艺才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑，也就是说要等到2030年左右。

在外界看来，这有点像台积电的谈判游戏，也许是在与ASML争夺更好的条件。

但预测台积电不会坚持太久，特别是如果英特尔开始在High NA设备方面取得领先地位的话，台积电将不得不屈服并继续前进。台积电在英特尔倡导的掩模倍增方面也进展缓慢，但最终也会跟进，因为这对他们来说是免费的性能提升。