SK与台积电共研HBM，三星以重金对抗

人工智能（AI）计算所需要的“高频宽存储器（HBM）”的市场正在快速扩大。韩国SK海力士领先，一直处于供不应求的状态。为了在预计传输速度提高4成的新一代产品领域守住阵地，SK海力士将与台积电（TSMC）进行合作。开发落后的三星电子则计划通过加大投资以实现逆袭。

在7月25日的财报发布会上，SK海力士的首席财务官（CFO）金佑贤表示：“AI半导体的开发速度正在加快。这对于作为行业领导者的我们来说，是一个有利的环境” 。

SK海力士当天公布的2024年2季度（4月~6月）销售额为16万亿韩元，是去年同期的2.3倍。最终损益为盈利4万亿韩元（去年同期为亏损2万亿韩元），作为2季度销售额创出6年来的新高。 SK海力士的HBM订单已经排到了2025年。 

HBM是一种通过堆叠临时存储数据的DRAM来提高存储容量和数据传输速度的存储器。它作为AI计算中使用的图像处理半导体（GPU）的辅助角色，负责记录计算过程。 GPU与HBM之间的数据交换速度越快，AI的性能就越高。

SK海力士的最尖端产品“HBM3E”，每个输入输出端子（引脚数）的数据传输速度为8Gbps。据说每秒可以处理230多部全高清电影。

三星是全球最大的存储器厂商，在DRAM领域占据42.3％全球市占率。但在HBM领域，SK海力士占据52.5％市占率，超过三星。

HBM的开发竞争围绕这两家公司展开。 SK海力士在2013年率先开发HBM，三星则从2015年开始正式开发。到2020年左右三星一度领先，但随着SK在2023年8月开发出最尖端产品“HBM3E”，SK实现反超并进一步拉开了差距。

三星被指“过度执着于半导体的微细化”。半导体的性能随着电路线宽微细化而提高。三星凭借强大的资金实力持续追求微细化，但尖端产品的电路线宽已达到10纳米级别，技术开发的难度增大。

另一方面，SK海力士则从堆叠DRAM的方法中找到了出路。该公司还率先与材料厂商建立关系。 SK海力士与日本NAMICS（位于新泻市）等公司共同开发出了生产最尖端产品不可或缺的封装材料，并签订了独家供应合同。

SK海力士目前正在与台积电共同开发新一代HBM产品，目标是2025年开始量产。据称，新一代产品的传输速度将提高4成。台积电正在为占据GPU市场9成的美国英伟达（NVIDIA）进行代工生产。 SK海力士通过与台积电合作，间接与英伟达强化关系。

三星在取得英伟达的最新AI半导体认证方面落后。美国摩根士丹利（Morgan Stanley）的Shawn Kim指出：“三星面临市占率下降的风险”。高盛的Giuni Lee预测称：“未来2～3年，SK海力士将在尖端HBM产品领域保持超过50％的份额”。

为了挽回局面，三星更换了半导体部门的一把手。该公司打破了年底宣布高管人事安排的惯例，在2024年5月提前宣布了人事任命。试图通过不同寻常的人事安排来加强内部团结，同时三星也在与日本材料厂商积极建立关系。

HBM的更新换代速度很快。一般来说每更新一代产品，传输速度就会提高到1.5～2倍左右。因此，如果能抢在竞争对手前面推出尖端产品，就能在其他公司赶上之前获得利润。产品更新换代是扭转势力格局的良机。

精密堆叠微细半导体的技术难度越来越高，生产设备也越来越贵。 SK海力士将在截至2028年底的5年里进行103万亿韩元设备投资，其中8成将用于HBM的技术开发和量产。

三星也在提高HBM在总投资额中的占比。 2024年把HBM供应量增加到上年的4倍，2025年将进一步增加到2倍。

乐天证券经济研究所的今中能夫指出：“自2024年下半年起，投资竞争将正式开始”。三星的总资产为497万亿韩元，是SK海力士的1.5倍。有观点认为，三星拥有雄厚的资金实力，如果把资金运用到投资竞争中，三星将有望取胜。

HBM被认为已经开始开发未来2～3代的产品。美国美光科技也在寻找机会加入竞争。 SK海力士能否保持领先地位？三星能否通过大规模投资迎头赶上呢？以韩国两家公司为中心的竞争将会持续下去。