DRAM是什么？DRAM产业完整介绍！

随着科技的不断进步，存储行业作为半导体市场的重要细分领域，一直备受关注。今年上半年，DRAM（动态随机存取存储器）产品市场价格大幅上涨，使存储行业走出了之前的“黑暗时刻”，迎来了新的春天。那么，DRAM 究竟是什么产品？国际上的大厂有哪些？中国台湾又有哪些概念股？DRAM 市场的现况与展望究竟如何？跟着本文来一一揭晓！

DRAM 是什么？

DRAM 实际上就是我们在日常生活中常常提及的“存储器”，只是“存储器”这个概念还可以依据产品特性的不同，细分为众多不同种类。所以，在搞懂 DRAM 是什么之前，我们先来聊聊“存储器”到底是什么！

常说的存储器，其英文名称为 Random Access Memory（RAM），专业名词为随机存取存储器，是能与 CPU 直接交换数据的内部存储器。它可以随时进行读写（刷新时除外），而且速度极快，通常作为操作系统或其他正在运行的程序的临时数据存储介质。RAM 工作时能够随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。由于许多电脑操作都需要用到存储器，因此 RAM 的数量多少是影响系统效能的一个重要因素。存储器又可以依据“储存资料后是否需要持续供电”这一特性，分为两大类别、四种不同类型的存储器：

易失性存储器（Volatile memory）

易失性存储器指的是当电流中断后，所存储的资料会消失的存储器。例如：动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）、静态随机存储器（Static Random Access Memory, SRAM）。

非易失性存储器（Non-Volatile Memory）

非易失性存储器或非依电性存储器指的是当电流关掉后，所存储的资料不会消失的资料存储设备。例如：只读存储器（Read Only Memory, ROM）、闪存（Flash）。

目前，DRAM 在市面上的终端应用以个人电脑为主（约占市场 75% ），主要市场来自 PC 内所使用的高容量 DRAM。随着定制技术的创新，目前市场上所见到的 EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM 等等这些产品，均为不同规格的 DRAM。

DRAM 与SRAM / Flash 的差异

“随机存取”意味着CPU可以存取其中的的任意位置，而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。而“动态”是因为DRAM的工作采用电容原理，为了防止漏电引发数据错误，需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失，所以它属于“易失型”存储器。

SRAM的存在感比较弱，因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘（如东芝TR200）中，主控内会集成小容量的SRAM缓存。

SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器，无需刷新和回写就能保留数据，速度比DRAM更快。但由于集成度低，SRAM容量比DRAM小，成本比DRAM高，所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失，同样属于“易失性”存储器。

铠侠在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据，但是它无法随机存取，最小读写单元是Page页（早期为4KB，当前多为16KB），最小擦除单位是Block块（当前为16MB左右）。

闪存使用特殊的“浮栅层”（Floating Gate）来存储数据，氧化物层（Oxide Layer）的存在可防止浮栅层中电子流失，这是它能够在断电后继续保存数据的原因。Flash闪存的1个存储单元存储多位数据，这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少，每个存储单元可以表达1比特（SLC）、2比特（MLC）、3比特（TLC）或4比特（QLC）数据。闪存的写入和擦除基于量子隧道效应，每个单元可以存储的数据越多，对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛，写入速度也越慢，所以TLC的闪存性能优于QLC。

当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时，闪存单元的结构也变为类似于圆柱形，Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。

存储器概念股

放眼全球的DRAM 市场，可以发现DRAM 是一个极为寡占的市场—— 全球前三大龙头厂，总共就囊括了约莫95% 的市占率。

DRAM 市场中的“三大巨头”，分别是三星电子（韩）、SK 海力士（韩）与美光科技（美）。市占率部分，三星电子约 42.3%、SK 海力士约29.7%，美光约22.3% —— 三者合计超过九成的市场份额。

中国台湾的DRAM 相关概念股，则可以分为“DRAM 厂”与“DRAM 模组厂”两大类，包括：

DRAM 厂：华邦电、南亚科、晶豪科、创见、茂矽。

DRAM 模组厂：创见、威刚、品安。

DRAM 报价

DDR4 4Gb / 8Gb 报价走势图

DDR4 4Gb / 8Gb 报价走势图。来源：MacroMicro

由上图可以看到整个存储器市场近五年来的产品报价走势大致轮廓。自从2020 年的“存储器寒冬”复苏以来，两个指标产品（ DDR4 4Gb 512Mx8 /DDR4 8Gb 1Gx8 ）报价分别回升203% / 188%。

DRAM Spot Price（现货价）

Spot Price。来源：Trendforce

上表可以作为前一张5 年走势折线图的验证。近两个月以来各产品价格皆出现报价回升现象。

DRAM Contract Price（合约价）

Latest DRAM Contract Price。来源：Trendforce

目前市场合约价格由于需求放缓，价格回档，预计下半年合约价格才会因需求带动上涨。

进入2024下半年，半导体行业的内存器件将继续发生重大变化。由于内存器件在人工智能（AI）应用中的关键作用，其需求量相较于其他元器件而言一直处于较高水平。预计在第三季度内存价格将继续波动。优先生产高带宽内存（HBM）可能会导致DRAM短缺。

根据 TrendForce 最新发布的市场报告，预计 2024 年 DRAM 和 NAND 闪存的收入将分别显著增长 75% 和 77%，而这一增长主要是由于平均价格的上涨以及高价值产品的兴起，例如 HBM（高带宽内存）和 QLC（四层单元）闪存。