铠侠宣布北上新闪存制造厂竣工，2025年秋季投产

铠侠（Kioxia）宣布，其北上工厂的新建Fab 2（K2）大楼已完工。其位于日本岩手县北上市工厂，是这里的第二个闪存生产设施，计划2025年秋季开始运营。铠侠表示，随着存储器市场的复苏，将逐步进行资本投资，同时密切关注闪存市场趋势。

虽然新建的闪存制造厂要等到明年才投产，但是铠侠在旁边一起建造的行政大楼已经做好准备，部分行政及工程部门将于2024年11月入驻启用，以监督Fab 2的运转。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的补贴。

此前铠侠曾确认，与西部数据合资的四日市工厂和北上工厂都获得了政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产基于创新晶圆键合技术的最新一代3D NAND闪存和下一代先进制程节点的工厂。这也是铠侠与西部数据的合资制造工厂第二次获得日本政府的补贴，旨在促进企业对尖端半导体生产设施的投资，并确保日本半导体的稳定生产。

铠侠表示，将致力于抓住闪存市场的机遇，满足对人工智能（AI）应用和数据中心日益增长的需求，继续积极实施举措，提升自身的闪存研发能力，并实施符合市场趋势的资本投资。