2025年中国SiC芯片价格或将下降高达30%

近日，有业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。

这归因于越来越多的本地生产商获得电动汽车认证并扩大了其制造能力。消息人士称，预计中国供应商的SiC元件将在2025年底开始大规模渗透电动汽车市场，打破国际供应商在该市场的主导地位。

中国制造商在SiC开发方面的起步晚于同行，在SiC批量生产方面仍处于早期阶段。中国市场，尤其是电动汽车领域的SiC芯片，仍然严重依赖进口。

然而，中国的SiC发展势头强劲，有望改变SiC市场格局。据悉，特斯拉、比亚迪、理想和小米已经在其多款热门电动车型上配备了SiC组件。到2025年，中国制造的SiC外延片或将足以满足国内需求。

中国主要的SiC元件制造商包括天岳先进、芯联集成和士兰微电子。这些公司的SiC业务均取得了显著增长。

电动汽车市场仍是SiC器件的最大出路。2024年上半年，采用SiC器件的电动汽车成本有望下降15%~20%，而SiC单价已降至与IGBT相当的水平。价格下降将使SiC元件更快普及，到2025年，当8英寸晶圆产能增加时，价格可能下降高达30%。

据行业数据显示，2023年国内碳化硅衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。据估算，我国2023年的6英寸碳化硅衬底产能占全球产能的42%，预计到2026年我国6英寸碳化硅衬底产能将占全球产能的50%左右。

这种快速扩张反映了市场对碳化硅衬底的强烈需求。

而另一面，由于担心来自晶圆厂商或者下游电动汽车终端用户的订单无法充分消化产能，国内碳化硅衬底的价格正在迅速下降。

据悉，以往国内6英寸碳化硅衬底通常只比国际供应商的报价低5%左右，而最近价格差异已经扩大至30%。有供应链从业者担心，由于国内在碳化硅长晶、衬底等领域的厂商众多，如果有人率先掀起降价模式，恐怕将会迫使越来越多厂商跟进，进而引发碳化硅衬底的价格战。据业内人士披露，国内碳化硅衬底厂商也在积极拓展海外业务，且其国际报价要高于国内报价，但仍大幅低于国际市场平均水平。

碳化硅衬底技术壁垒高，为价值链条核心环节。碳化硅器件价值量存在倒挂，其成本主要集中在衬底和外延，根据CASA数据，两者占成本比例合计70%。其中，衬底制造技术壁垒最高，成本占比高达47%，是最核心环节。

近年来，无论国际还是国内相关厂商，一直在扩大碳化硅衬底外延方面的产能。这或许是导致碳化硅衬底价格下跌的重要原因。

2024年以来，据集邦化合物半导体不完全统计，有十多个SiC相关项目签约落地或进行环评公示，这些项目都在进行开工前准备工作。

从投资规模来看，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目、赛达半导体SiC外延项目、连城数控第三代半导体设备研发制造项目、摩珂达SiC项目、江西罡丰第三代半导体衬底外延建设项目总投资额均在10亿元（含）以上。其中，摩珂达SiC项目将投资超50亿元，成为规模方面的领头羊。

从产能来看，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目规划建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套，赛达半导体SiC外延项目2027年规划产能为30万片/年，普兴电子6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目将实现年产24万片SiC外延片，东尼电子扩建SiC项目将年产20万片SiC衬底，江西罡丰第三代半导体衬底外延建设项目（一期）将年产40万片SiC衬底，这些项目在产能方面成为佼佼者。

从内容来看，这些新落地项目覆盖SiC产业链大部分环节，部分新项目聚焦衬底/外延环节，这是SiC功率器件生产的关键环节，也是能够快速有效实现降本增效的部分，包括天睿半导体项目、百豪新材料大尺寸SiC单晶衬底产业化项目等。

其中，天睿半导体项目将新建8英寸SiC和GaN晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。

部分新项目致力于生产SiC功率器件/模块，包括臻驱半导体SiC功率模块项目、扬杰科技SiC模块封装项目、爱矽科技车规级SiC模块封装产品项目等。其中，扬杰科技是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商。