中国SiC和GaN IC行业正在发生的并购

中国的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）化合物半导体行业已经经历了多起并购（M&A）。

业内人士表示，这些并购让竞争力较弱的企业面临被淘汰的压力。中国化合物半导体制造商联合星科技（UNT）和新芯微电子最近宣布了股权收购计划。

UNT拟收购其控股子公司联合诺瓦科技-越州（绍兴）有限公司（UNT-越州）72.33%的股权，交易完成后，UNT-越州将成为UNT的全资子公司。

越州联合技术有限公司已具备 SiC 化合物制造能力。2024 年 4 月，越州联合技术有限公司开始建设 8 英寸 SiC MOSFET 工厂，预计最早将于 2025 年开始量产。

UNT前身为中芯国际（绍兴）有限公司（SMEC），专注于功率半导体，并继续扩大SiC领域的生产。

UNT预计2024年下半年其SiC产品出货量将从每月5,000-6,000片晶圆增加到10,000片。预计将贡献超过10亿元人民币（1.3762亿美元）的收入。UNT入股越州优特，相当于扩大了绍兴本地的产能和产线，也将有助于UNT碳化硅业务更快实现目标。

深圳市诺芯科技有限公司宣布，已收购QST所持有的麦歌恩微电子62.68%的直接股份以及QST所持有的麦歌恩5.6%的间接股份，合计持股68.28%，收购价格约为人民币6.83亿元。

MagnTek 被认为是中国的一家小型独角兽公司，主要专注于磁传感技术相关的芯片研发。

近年来，复合半导体领域的并购兴趣一直没有减弱。英飞凌于 2023 年以 8.3 亿美元收购 GaN Systems是 GaN 领域的巨额交易。也有报道称其他主要国际制造商也正在进行并购活动。

英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“GaN 技术为支持脱碳的更节能、更节省二氧化碳的解决方案铺平了道路。收购 GaN Systems 大大加速了我们的 GaN 路线图，并通过掌握所有相关的功率半导体技术进一步加强了英飞凌在功率系统领域的领导地位。我们欢迎 GaN Systems 的新同事加入英飞凌。”

英飞凌目前共有 450 名 GaN 专家和 350 多个 GaN 专利系列，这扩大了公司在功率半导体领域的领先地位，并大大加快了产品上市时间。两家公司在 IP 和应用理解方面的优势互补，以及丰富的客户项目渠道，使英飞凌在应对各种快速增长的应用方面处于有利地位。

2023 年 3 月 2 日，英飞凌和 GaN Systems 宣布两家公司已签署最终协议，根据该协议，英飞凌将以 8.3 亿美元收购 GaN Systems。此次收购是一笔全现金交易，资金来自现有流动资金。

英飞凌一直致力于加强其宽带隙产品组合，寻求在所有材料的电力系统中占据领导地位。该公司已经将碳化硅 (SiC) 技术应用于其二极管和 MOSFET 产品，目标是通过扩大奥地利菲拉赫和马来西亚居林的产能，在 2020 年前占据 30% 的市场份额。值得注意的是，居林的扩建计划旨在于 2027 年夏季建成世界上最大的 200 毫米 SiC 晶圆厂。英飞凌估计，到 2025 财年，其 SiC 收入将达到 10 亿美元，到 2030 年左右，这一数字将上升到 70 亿美元。总体而言，英飞凌预计 2022 年至 2028 年 SiC 市场的复合年增长率为 31%。

谈到 GaN 市场（用于英飞凌的 HEMT 和驱动器产品），英飞凌预计 2022 年至 2028 年的复合年增长率为 52%，未来五年累计市场潜力为 60 亿美元。事实上，该公司预计到 2030 年，GaN 将成为多种终端应用的首选技术。对于充电器、车载充电器和服务器等领域，英飞凌认为转折点即将到来，而低功耗电机控制和住宅太阳能等应用正在向 GaN 过渡。

Aixtron近期收购了位于意大利的生产基地，以扩大设备产能并拓展欧洲市场业务。半导体特殊材料和技术公司Kymera International收购了SiC材料公司Fiven ASA。瑞萨电子6月21日宣布完成对GaN专家Transphorm的收购。

行业分析人士表示，以SiC、GaN为主的化合物半导体行业发展前景广阔，企业可通过并购等方式抓住区域市场发展机会。

与此同时，化合物半导体行业的竞争也愈演愈烈。SiC 衬底产能过剩导致价格大幅下降，推动行业走向整合。为了应对这种情况，各公司纷纷通过并购来扩大业务范围、降低运营成本并提高竞争力以求生存。

中国官员也在大力鼓励行业整合，提出出台政策支持上海证券交易所科创板（STAR 市场）上市制造商的并购。未来的政策将支持相关公司的并购。