英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子的高带宽内存(HBM)将被集成到英伟达产品中。他特别谈到了最近关于三星因过热问题而未能通过质量测试的说法,他的反驳引起了极大的关注。
近日,在台湾台北南港展览馆举行的新闻发布会上,黄仁勋回答了有关三星何时可以成为英伟达合作伙伴的问题。“我们需要的HBM数量非常可观,因此供应速度至关重要,”他说。“我们正在与三星、SK海力士和美光合作,我们将收到这三家公司的产品。
黄仁勋特别谈到了最近有报道称三星的HBM由于过热问题而未能通过测试。“由于这些原因,它并没有失败,这些报告毫无意义,”他澄清说。“我们与三星的合作进展顺利。我希望它在昨天之前完成,但事实并非如此。我们需要耐心等待。
在黄仁勋发表评论后,业界预计三星的HBM将很快供应给英伟达。3月初,在美国的一次开发者大会上,黄仁勋参观了三星展台,回顾了HBM3E产品,并在离开前在展台的标牌上用手写签名标记了“Jensen Approved”。
“HBM存储芯片非常复杂,附加值非常高。我们在HBM上花了很多钱。”黄仁勋表示,“三星是一家非常、非常优秀的公司。”
上述这番表态,被媒体解读为老黄暗示英伟达将会在未来使用三星HBM产品。
目前,三星的最主要竞争对手——SK海力士是英伟达唯一的HBM3供应商。就在周二,SK海力士才刚刚宣布,它计划开始量产下一代高带宽存储芯片HBM3E。
虽然SK海力士没有透露新HBM3E的客户名单,但该公司一位高管透露,新芯片将首先发货给英伟达,并用于其最新的Blackwell GPU。
与此同时,三星也一直在大力投资HBM,以赶上竞争对手。该公司于今年2月宣布,已开发出HBM3E 12H,这是业界首款12层HBM3E DRAM,也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星电子还表示,将于今年上半年开始批量生产该芯片。
“三星和SK海力士的升级周期令人难以置信,”黄仁勋在周二的媒体会上表示,“只要英伟达开始成长,他们就会和我们一起成长。我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系。”
据了解,今年三月份,有外媒报道,英伟达计划从三星采购高带宽内存(HBM)芯片,HBM是人工智能处理器的关键组件。
三星一直在HBM上投入巨资,以追赶竞争对手。该公司于2月份宣布开发出HBM3E 12H,这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM,也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示,将于今年上半年开始量产该芯片。
黄仁勋此前曾表示:“三星和SK海力士的升级周期令人难以置信,一旦英伟达开始增长,他们就会与我们一起成长。”“我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系,”他补充道。
HBM是当前算力的内存瓶颈,亦是存储单元的理想方案和关键部件。AI大模型的兴起催生了海量算力需求,而数据处理量和传输速率大幅提升,使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求,而HBM作为一种专为高性能计算设计的存储器,其市场需求也在持续增长。HBM的重要性在于,GPU对大规模并行计算的速率要求在持续提升,但计算过程本身需要算力、存力、运力三者同时匹配,通常存储的读取速度和计算的处理速度之间存在一定时间差,HBM就是为提高传输速率和存储容量应运而生的重要技术路线。
与GDDR相比,HBM在单体可扩展容量、带宽、功耗上整体更有优势,相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此,HBM突破了内存瓶颈,成为当前AI GPU存储单元的理想方案和关键部件。
据报道显示,SK海力士宣布拟在韩国投资10亿美元扩大和改进其HBM芯片封装工艺,新投资将投入到HBM先进封装的MR-MUF和TSV技术中;美光则宣布正式量产业界领先的HBM3E解决方案,英伟达H200Tensor Core GPU将采用该内存方案,并于2024年第二季度开始出货;而三星的HBM3产品也于2024年第一季度陆续通过AMD MI300系列验证,其中包含其8层与12层产品,加快了追赶SK海力士的步伐。展望未来,随着存储巨头的持续发力,产业链上下游企业也将紧密部署,HBM的影响力将逐步扩大并带来全新机遇。
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