美光新款HBM3E采用1β工艺制造

近期，美光发布了一系列内存和存储产品组合，以加速人工智能（AI）的发展。其中新款的HBM3E产品备受外界关注，美光早些时候已经宣布开始批量生产HBM3E，将用于英伟达H200，计划在2024年第二季度开始发货。

近日，美光产品管理高级总监Girish Cherussery接受了媒体的采访，探讨了高带宽内存（HBM）的广阔市场，并研究了其在当今技术领域的各种应用。Girish Cherussery称，HBM作为行业标准的封装内存，是一款变革性产品，以较小的尺寸，在给定容量下实现更高的带宽和能效，很好地适应了越来越多的复杂大语言模型（LLM）对内存的需求。

目前，美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道，采用了1β（1-beta）工艺打造，封装规格为11mm x 11mm，堆叠8层和12层的24Gb裸片，提供了24GB或36GB容量，带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，封装互连缩小了25%，功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新，结合先进的封装技术，提供了改善热阻抗的结构解决方案，有助于改善立方体的整体散热表现，加上大幅度降低的功耗，为客户提供了功耗更低、散热效率更高的HBM3E产品。

美光还打算将1β工艺应用到其他产品上，包括LPDDR5X产品组合等，以推动了异构计算环境中系统架构的重大创新。