
铠侠与闪迪此前在东京和米尔皮塔斯同步宣布,计划到2032年在日本完成总额超过5万亿日元(约合310亿美元)的投资,覆盖三重县四日市工厂与岩手县北上工厂的生产设备增设、配套基础设施更新和技术升级。声明明确,这一计划以日本政府提供政策支持为前提条件。同一天,铠侠还宣布启动北上工厂Fab3新厂房的场地准备等工作,新厂房落在Fab2南侧地块,目标2029财年投产,建成后将是全球最先进的存储生产设施之一。
按铠侠披露的投资明细,Fab3相关的场地准备与建设投入约1.8万亿日元,是这5万亿日元里最大的一笔单项开支,四日市工厂则同步扩容。两家公司都把重心压在用于长期数据存储的NAND闪存上,这也是它们唯一的重叠赛道。铠侠社长太田裕雄在8月的说明会上给出的理由是,要“准确应对AI社会发展中不可或缺的大容量、高性能、高能效闪存的需求”。闪迪董事长兼首席执行官戴维・戈克勒的说法更直白,称这笔投资将支撑客户对闪存技术不断上升的需求,同时为工厂所在社区带来新的经济机会。
如果只看总额,这无疑是一次押注。按此前报道的6比4出资比例,铠侠对应的份额约为3万亿日元。把日本政府的补贴金额和最终确定的投资比例放在一边,仅按公开表态推算,铠侠在未来六年的年均设备投资约5000亿日元。这个数字听起来不小,但放进铠侠自己的历史坐标里,加速的意味就淡了。
铠侠此前给出的规划是,2026财年(截至2027年3月)设备投资4500亿日元,截至2028财年的三年间年均约4700亿日元。公司同时保留了“根据市场环境考虑追加投资”的口子。也就是说,从4700亿到5000亿,增幅大致在一成上下,而所谓“未来六年5万亿日元”,摊薄到每一年只是把原有的投资曲线略微抬高了斜率。长期方向写得很明确,短期节奏并没有被拉快。
把镜头拉远,这种克制就显得更有意味。韩国方面,SK海力士在8月批准了约54万亿韩元的扩产计划,其中35.2万亿韩元投向龙仁Y2晶圆厂,19.1万亿韩元投向清州M17晶圆厂,后者正是其NAND产能的主要承接地。美国厂商在先进封装与本土产能上持续加码,中国厂商的扩产步伐也没有停下。相比之下,5万亿日元分摊到两家公司、六年时间、两座工厂,很难称得上激进。
份额的变化说明问题。CFM闪存市场的统计显示,2026年二季度NAND销售收入份额中,三星以27.5%居首,SK海力士18.5%次之,长江存储15.0%升至第三,铠侠14.4%位列第四,美光13.0%,闪迪11.7%。铠侠与闪迪合起来约26%,仍是行业里举足轻重的一极,但与十年前那个接近三分之一的市场地位相比,退步是肉眼可见的。在存储半导体这个行当,规模经济几乎等同于竞争力,单位成本随产能爬坡而下降,产能又反过来决定议价能力,份额一旦滑落,追赶的成本会成倍放大。
这也解释了为什么投资额看似庞大,节奏却按部就班。铠侠并非没有能力更快,而是不太愿意更快。过去十多年的存储周期给它留下了足够深刻的记忆。2017年前后,NAND价格高企,全行业掀起扩产潮,随后是2019年起的价格断崖和连续多个季度的亏损,铠侠的上市计划也因此一度搁置,直到2024年才在东京证券交易所挂牌。闪迪的处境类似,从西部数据分拆独立上市之后,它需要用自己的资产负债表去承担合资工厂的资本开支,而不是躲在母公司的羽翼下。上一轮周期的教训是,在价格高点用长周期承诺锁定产能,等于把下一轮下行的亏损提前签了字。
所以这一次,两家公司选择把投资和三个变量绑在一起。第一个变量是政府支持。声明里“以日本政府政策支援为前提条件”这句话不是客套,太田裕雄在公布计划的当天专程拜会了日本经济产业省。高市早苗政府把先进半导体制造视为经济安全保障的核心环节,日本方面希望借助这轮投资把国内存储产能重新推上台面。第二个变量是市场需求,尤其是AI服务器对企业级固态硬盘的拉动。声明中强调的“多年位元增长”与“稳定供应”,本质上是把扩产节奏交给需求曲线来决定。第三个变量是合资框架的存续,今年1月两家公司已把四日市合资工厂的框架延长至2034年12月,为长周期投入提供了制度底座。
三个变量握在手里,铠侠和闪迪的动作就变得可以理解。它们押注的是AI带来的长期存储需求,却不打算用一次性的资本冲锋去赌短期的价格弹性。5万亿日元的真正含义,也许不是“要抢多少份额”,而是“不能掉队太远”。在过去25年里,这对组合已经在日本投入超过500亿美元、约合9万亿日元,如今再加5万亿,是把既有优势稳住,而不是重新定义格局。
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