
近日,韩国科学技术信息通信部与三星电子宣布,双方已在韩国纳米技术院(KANC)举行公共纳米Fab运营效率化咨询成果汇报会及二手设备移交仪式。此次合作中,三星将其在半导体量产工厂积累的设备管理经验引入公共研发设施,同时无偿移交一台8英寸晶圆自动图案薄膜测量设备。
更重要的是,韩国政府计划将这套运营咨询模式推广至全国14家公共纳米Fab参与机构,覆盖大学、研究机构以及中小半导体企业使用的公共研发平台。
从制造经验共享到设备资源再利用,这项合作也体现出韩国正在通过整合公共研发设施和产业资源,进一步完善本土半导体研发基础。
此次合作的核心,是将三星在大规模半导体生产中积累的Fab运营和设备管理经验,应用到公共纳米Fab。所谓公共Fab,是面向大学、研究机构以及中小企业开放的半导体研发和试制平台。使用者可以借助这些设施开展工艺研发、器件制造、性能测试和技术验证,无需自行建设完整的晶圆制造设施。
半导体研发对设备和工艺环境有较高要求,涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积、检测等多个环节。对于资金和技术资源有限的中小企业及高校实验室而言,公共Fab能够降低研发阶段的基础设施投入。不过,设备齐全只是基础,如何让不同设备稳定运行、提高使用效率,同样影响研发进度。
此次三星的咨询项目正是围绕这一问题展开。2026年6月至10月,三星电子DS部门共生合作中心对韩国纳米技术院的半导体制造设施进行了运营诊断,重点涉及安全与环境、现场管理、设备启动以及设备运行四个方面。
在具体实施中,三星将量产工厂使用的管理经验融入公共Fab的日常运营,完善设备标准操作规程(SOP)、检查表以及培训和运营标准,并首次针对公共纳米Fab开发专门的现场检查手册。通过标准化设备检查流程和安全管理要求,帮助工作人员及时识别设备运行风险,改善日常维护和管理效率。
这套方法此前主要用于三星自身的生产体系和半导体材料、零部件、设备供应商,此次则根据公共研发设施的特点进行了调整。
除了输出管理经验,三星此次还向韩国纳米技术院移交了一台闲置的半导体检测设备。这台设备名为自动图案薄膜测量设备,主要用于测量8英寸半导体晶圆上单层及多层薄膜的厚度和光学常数,能够在不损伤晶圆的情况下完成测量。
薄膜是半导体制造过程中的重要组成部分。在晶圆表面,制造商需要通过沉积等工艺形成不同材料的薄膜层,再结合光刻、刻蚀等工艺构建器件结构。薄膜厚度和光学特性会影响后续工艺表现,因此需要专门的测量设备进行监控。例如,薄膜厚度控制关系到器件结构和电学性能,而多层薄膜的光学特性测量则能够为材料分析和工艺优化提供依据。
韩国纳米技术院此前缺少8英寸晶圆自动薄膜测量能力。引入这台设备后,该机构将补齐相关检测环节,并计划将其用于企业、高校和研究机构的研发支持及技术服务。
此次设备移交属于韩国科学技术信息通信部推动的MoaFab二手设备利用支持项目。该项目主要将半导体企业不再使用的设备转移至公共纳米Fab,由政府支持设备转移和安装费用,让仍具备使用价值的设备重新进入研发环节。
对于部分半导体企业而言,部分设备可能因生产线调整、工艺升级或者设备更新从而退出原有生产体系,但并不意味设备本身已经失去研发价值。通过公共平台重新配置,可以让这些设备服务于更多研究项目,同时减少公共研发设施重复购置高价设备的压力。
此次合作还有一个更大的背景,就是韩国正在整合分散的公共半导体研发资源。2025年3月,韩国科学技术信息通信部与三星电子、SK海力士、DB海泰克三家半导体企业签署合作备忘录,计划共同提升公共半导体Fab平台MoaFab的功能。
MoaFab是韩国公共纳米制造设施的综合资源平台,主要整合分布在不同地区和研究机构的公共纳米Fab资源,为企业、高校和研究机构提供设备使用、工艺研发、性能评估、试制和人才培养等支持。
过去,韩国公共纳米Fab分散在不同机构,设备资源、使用流程和服务能力存在差异。研究人员和企业需要根据项目需求寻找合适的设施,跨机构使用设备也存在一定的协调成本。
2026年1月,MoaFab参与机构从原来的6家扩大至14家,新增机构包括韩国电子技术研究院、韩国生产技术研究院、蔚山科学技术院、韩国科学技术研究院以及全北大学等。
随着参与机构增加,韩国希望将原本分散的公共研发设施纳入统一的资源协作体系,让不同机构的设备和技术服务更好地面向产业需求开放。
此次三星与韩国纳米技术院的合作,正是这一体系进一步完善的具体案例。韩国政府计划将此次形成的咨询成果和现场检查手册向全部14家参与机构共享,后续逐步推广相关运营管理经验,提升各公共Fab的设备管理和服务能力。
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