
存储涨价把二线厂商的账本撑到前所未有的厚度,华邦电子却打算把这笔钱花在最贵的那台机器上。
近日,华邦电子总经理陈沛铭给出的路线很明确,公司的14nm级DRAM制程会分成两代,第一代不使用极紫外光刻,第二代正式引入EUV,如果开发顺利,预计2030年导入。这句话听上去像一个技术节点的普通备注,放在利基型存储厂商身上却分量不轻。多年来EUV几乎是台积电、三星、英特尔、SK海力士、美光五家企业的专属工具,二线厂连报价单都不太敢翻,华邦现在把它写进了自己的路线图。
准备工作早就开始了。陈沛铭说,华邦在EUV上和ASML已经合作了3.5年,目前正派员工赴ASML接受培训,参与试跑与量测,为后续工艺导入做人和流程上的铺垫。设备交付的节奏也被他讲得很直白,ASML承诺首台EUV光刻机约2年后交付,后续机台则要等到3.5年左右。这个时间差正是所有存储厂必须提前几年做决定的原因,EUV从下单到进厂动辄三年以上,等工艺需要它的时候再谈采购,产线节奏早就被打乱。
真正把华邦推到EUV门口的,是工艺本身的成本临界点。193nm浸没式DUV靠多重曝光继续往更小的尺寸推,意味着更多次曝光、更多掩模、更多刻蚀与沉积步骤,套刻控制和产线周期一起变复杂。复杂度堆到某个高度,一台昂贵的光刻机反而比反复叠加工序更划算。三星已经把EUV用在14nm级、12nm级DRAM的量产上,这条路被走过一遍,后来者的技术风险小了很多。如今0.33数值孔径的Low NA EUV经过近十年量产验证,光源功率、掩模护膜寿命和产线可用率都站上90%以上,它更像十年前的浸没式光刻机,属于买回来就能进产线的标准装备,不再是实验室里的赌注。
钱的问题,这一轮周期替华邦回答了。华邦第三季度净利润354.22亿新台币,环比增长45.7%,同比翻了约11倍,毛利率70.6%;10月营收293.61亿新台币,同比增长256.96%。客户担心拿不到货,长约一路签到2028年、2029年甚至2030年,产能和价格同时给了二线厂难得的现金流与可测算的资本开支空间。
承接这套工艺的是高雄厂Module B。这座厂房计划2027年1月动工,2029年1月装机,2029年底量产,洁净室面积约3万平方米,是一期的两倍,最高可容纳5万至6万片月产能。董事会8月先通过130.74亿新台币的资本支出预算,涵盖生产设备、研发设备、厂务设施与资本化租赁资产,此后核准的金额累计超过700亿新台币,覆盖土建、机电设施以及部分长交期设备,陈沛铭特别说明这笔钱并非Module B的全部投入。同期华邦在高雄Module A把产能从1.5万片加速扩到年底的2.4万片,主打20nm与25nm,后续再导入16nm,台中厂DRAM产能则从1.2万片压到7000片,做区域间的生产调配。
把时间线摆在一起看,逻辑就顺了。2029年底量产的第一代14nm级DRAM不带EUV,先让新厂房跑起来、把良率和产能爬坡做实;2030年第二代在同一套厂房体系里接上EUV,向12nm级推进。两年之隔,恰好是设备到厂、工艺验证、量产导入的完整窗口。风险也很清楚,2030这个年份以开发顺利为前提,华邦至今没有公布EUV相关的总预算,设备台数与分批节奏也留有余地。
行业坐标同样值得留意。南亚科技把新5A厂2026年至2029年的资本开支上限定在3466亿新台币,计划2027年下半年投片、2028年月产3万片,EUV同样在列。ASML今年计划产出至少60台Low NA EUV,2027年进一步提到80台以上。EUV的客户边界正从五家一线厂向二线存储厂外扩,门槛没有变低,变贵的是存储芯片本身。
陈沛铭对外部政治环境变化给AI数据中心带来的冲击也给了判断。他认为2027年至2028年的建设受影响相对有限,真正的分水岭在2029年,届时CSP的资金状况将决定市场是否进入下行调整周期。这个判断和华邦自己的时间表撞在一起,2029年既是装机与量产之年,也是需求侧最不确定的一年。设备已经进厂,产能已经铺开,接下来要看的是云厂商的钱包还鼓不鼓。
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