全球首条！英飞凌300mm氮化镓功率半导体产线在欧洲开建

英飞凌将在欧洲打造全球首座采用300毫米晶圆、量产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大批量制造工厂。作为该项目的一部分，到2034年，英飞凌计划向菲拉赫（Villach）厂区现有洁净厂房投入约11亿欧元。依托现有基础设施并同步升级改造，可以高效、低成本地扩充产能，工厂预计2027年底投产。这笔投资，是为了应对高性能电源方案快速上涨的市场需求。

氮化镓能够大幅提升众多应用的能效，覆盖AI数据中心、能源基建、电动出行、机器人以及消费电子等领域。两年前，英飞凌完成一项技术里程碑，成功加工出全球首片300毫米氮化镓晶圆。300毫米晶圆芯片制造工艺更先进、效率远高于200毫米产线：晶圆尺寸更大，单片产出芯片数量是200mm晶圆的2.3倍。如今英飞凌正把这项技术落地到这座面向客户的全球首个氮化镓大批量量产工厂。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这笔大额投资，彰显我们坚定助力欧洲半导体产业生态、维护欧洲技术主权的决心。通过落地300毫米晶圆量产线，英飞凌将成为全球首家实现氮化镓功率器件规模化量产的企业。借此，我们为氮化镓在AI、能源基建、电动出行、机器人等众多核心场景的广泛普及铺平道路。这座全新的先进工厂，将把技术领先优势直接转化为客户价值。”

这项首创技术的投资项目获得《欧洲芯片法案》支持。欧盟委员会已经批准3.19亿欧元国家补贴，奥地利联邦经济、能源与旅游部预计会在规定时限内出具正式资助承诺。欧盟委员会批准该补贴，不只是扩充欧洲本土制造产能，还会带动上下游外溢效益，例如和高校、科研机构跨境合作，帮助初创企业、中小企业更容易获取创新技术与产品。

奥地利联邦经济部长Wolfgang Hattmannsdorfer：“芯片对未来经济的重要性，就如同石油之于过去。当前欧洲芯片产能仅占全球约10%。结论很明确：这项关键技术，欧洲本土也必须具备制造能力。奥地利已经在能效芯片领域处于领先；按人口比重计算，奥地利半导体行业企业研发投入在欧盟排名第一。我们希望依托产业战略延续优势，不止做新技术研发，更要实现工业化量产，惠及整体经济。数据显示，芯片行业每一个岗位，可以带动更广经济领域新增六个岗位。因此，我们计划最高为英飞凌新项目提供3.19亿欧元补贴，补贴发放需要满足明确的选址考核标准，保障公共资金长期助力奥地利本土产业增值、稳定就业。”

英飞凌奥地利公司首席执行官Sabine Herlitschka强调：“竞争力和技术主权，来源于前沿研究落地、转化为产业价值。本旗舰项目正是如此：立足奥地利，把创新推向工业化应用，巩固技术领先地位、留住高端岗位。微电子是对经济和社会具备巨大撬动作用的核心产业，奥地利整个半导体生态都会受益，包括科研机构、高校以及产业伙伴。我们以此持续增强欧洲微电子领域的竞争力与自主可控能力。”

本次投资进一步巩固菲拉赫作为全球功率电子与新型半导体材料能力中心的定位。英飞凌奥地利现有员工约5800人，其中约4800人在菲拉赫厂区。英飞凌联合高校、科研院所、初创公司与产业伙伴，共同构成奥地利南部国际知名的微电子产业生态。这座全新300毫米氮化镓工厂建成后，还将和菲拉赫本地的功率电子研发业务形成良好协同效应。

氮化镓是先进半导体材料，电力开关与转换效率更高，可以打造体积更小、性能更强、能效更优的电子系统，降低能耗、减少发热。行业机构预测，氮化镓功率半导体市场规模到2031年将达到约35亿美元，2025至2031年年复合增速约35%。