NOR闪存涨价缺货，MRAM切入AI服务器、卫星等领域

Everspin Technologies正推动磁阻随机存取存储器（MRAM）走出成熟工业场景，拓展至AI服务器、数据中心以及卫星系统领域。AI算力需求的增长，市场对速度更快的非易失性存储器需求持续提升。

Everspin总裁兼CEO Sanjeev Aggarwal认为，这项技术可以解决现有存储器存在的短板。他在接受专访时表示：“如果看重性能，我认为MRAM是我们目前唯一可行的方案。”

Aggarwal称，客户一方面看中MRAM的性能与可靠性，另一方面也是因为部分NOR闪存产品难以采购。TrendForce一份报告估算，2026年上半年NOR闪存合约价累计上涨100% 至120%。报告提到，AI相关需求消耗了本就有限的供给，NOR闪存是最先出现交期拉长、供货配额管控的产品之一，并且供应商尚未公布大规模扩产计划。

Everspin Technologies总裁兼CEO Sanjeev Aggarwal

Aggarwal表示，NOR闪存缺货带来的市场缺口，正是MRAM的机会，这一市场空间在2028或2029年有望达到30亿美元。他透露，Everspin正依托台积电工艺，开发面向该市场的产品。“现在客户买不到NOR闪存。亚洲多数晶圆厂已经把NOR产线转做DRAM，DRAM利润率更高。那替代方案是什么？对于独立分立器件来说，MRAM是唯一选择，这也是客户主动找到我们的原因。”

他介绍，过去MRAM价格大约是NOR闪存的三倍；受供给紧张带动NOR涨价后，二者价差已经缩小至约1.5倍。 “如果原本要用两颗NOR闪存芯片，现在改用一颗MRAM，综合成本反而更划算。”

是否划算取决于具体应用场景，包括所需芯片数量、性能与可靠性指标。Aggarwal说，Everspin的经销商已经开始索要交叉对照资料，方便客户在特定NOR物料缺货时，选用MRAM作为替代。其他非易失性存储技术也未必适合部分场景。例如铁电存储器（FRAM）的单颗容量偏低；非易失静态随机存储器（NVSRAM）则要在可靠性与工作条件上做出取舍。

Aggarwal介绍的这款器件，工作温度区间为 - 40℃至125℃。客户选择MRAM，主要看重它的可靠性、接近SRAM和DRAM的读写性能，以及读写耐久度。

根据向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件，Everspin 2025年营收5520万美元，对比2024年的5040万美元，同比增长9.5%。Aggarwal预计，依托NOR替代需求、数据中心、航空航天国防、低轨卫星以及工业自动化市场，公司营收有望在3至4年内实现翻倍。

探索MRAM在AI存储层级中的定位

在加州圣克拉拉举办的相关活动上，Everspin展示了搭载CXL控制器的MRAM模组。这套方案借助CXL.mem协议，构建一片可通过CXL链路访问的持久内存池。

Aggarwal解释，这场演示意在证明MRAM可以作为一层新增存储，放在作为工作内存的DRAM和作为大容量存储的NAND闪存之间。DRAM的访问时延在纳秒级别，而NAND闪存访问时延可达数百微秒；算力单元和低速存储之间的数据搬运，会拖慢AI任务。“我们这款存储器的访问时延为20~30纳秒，既可以做存储，也可以服务算力，缩小NAND存储与DRAM工作内存之间的性能鸿沟。”

MRAM的定位，是临时存放AI运算过程产生的中间数据，之后再写入长期存储，典型场景包括键值缓存（KV Cache）、算力检查点、待落盘数据。KV缓存用来保存AI生成回复时重复调用的数据；检查点则可以让任务故障后继续恢复运行。

容量仍是MRAM当前的短板。Everspin现有产品单颗最高1Gb，不过Aggarwal表示可以通过堆叠实现8Gb或16Gb。他认为，如果只用来存放临时中间数据，MRAM不需要达到NAND闪存的容量水平。

公司同时在规划更高容量、搭载新型接口的产品路线。Aggarwal称Everspin已经向IBM的FlashCore模组供货，希望跳出现有DDR4接口产品，进一步拓展数据中心业务。“搭配现有DDR4芯片完成CXL协议演示，能帮我们拿到数据中心市场的入场券。等站稳脚跟之后，我们紧接着就会推出4Gb DDR6版本产品。” 他预估该产品开发周期约三年。

在边缘端，MRAM可以减少设备和中心服务器之间的数据传输。他以OpenMV为例，该方案已经用MRAM配合SRAM，存放配置信息。

MRAM落地卫星场景

今年早些时候，Astro Digital选定Everspin的64Mb STT-MRAM（料号EM064LXQADG13IS1T），用于其Raven卫星平台的地球同步轨道（GEO）项目，作为启动流程的主故障安全内存。启动内存存放航天器电子系统的启动代码，支撑系统故障恢复。“Astro Digital把我们的器件送上了地球同步轨道，不是低轨。”

MRAM具备抗辐照特性，适合太空环境；但芯片周边硅电路依然容易受辐射损伤。在这套卫星方案里，配套备份内存用来在周边电路受损时提供额外防护。

对比NOR闪存，MRAM在卫星场景下还有写入速度和功耗优势：写入速度高出近三个数量级，功耗更低。

Everspin的PERSYST系列采用四通道串行外设接口（QSPI），现有64Mb、128Mb、256Mb规格。 Aggarwal举了MRAM帮助部分应用减少芯片数量的通用案例，该对比不等同于Astro Digital卫星的实际配置。

面向AI服务器算力场景开展验证

Everspin已经和MaxLinear签署谅解备忘录，联合评估MRAM搭配MaxLinear存储压缩、加密与硬件加速平台在AI服务器中的应用。双方重点研究元数据管理、日志、写缓存、缓存等数据密集型负载。

双方还计划面向超大规模云厂商、AI基础设施开发商和企业级服务器客户，开展技术验证与市场推广。这份备忘录同时包含长期制造、供货以及商业化合作的可能性。

Aggarwal表示选择MaxLinear作为首个合作对象，是看中其加速芯片技术：“他们拥有硬件加速器，对这项存储技术兴趣很高，我们正在一起寻找首个落地场景。” 该备忘录仅搭建评估框架，不代表成品发布或锁定大批量订单。

产线扩张与供货布局

Everspin主要有两条MRAM产品线：Toggle MRAM（场切换型MRAM）和STT-MRAM。Toggle MRAM在亚利桑那州钱德勒的8英寸自有工厂生产，产品容量覆盖128Kb至1Gb，拥有多种接口。Aggarwal介绍，20多年来公司累计出货超2亿颗，退回样品极少。

今年早些时候，Everspin与Microchip Technology签署一份初始为期十年的代工协议，在Microchip位于俄勒冈州格雷沙姆的Fab4工厂搭建8英寸MRAM与隧道磁阻（TMR）传感器产线，为Toggle MRAM增加美国第二条产线。SEC文件显示，首批产品预计2027年下半年出货。“和Microchip的代工协议落地后，Toggle MRAM产能可以达到钱德勒工厂的两倍。”

该项目关联一份由Amentum Services承接、金额4000万美元的美国政府订单，Everspin作为分包商参与。Aggarwal称，项目将完成Everspin工艺在Microchip产线的认证，向美方提供相关知识产权以及第二条本土产线，支撑后续政府项目。

STT-MRAM方面，Everspin自2016年起就和格芯合作12英寸晶圆代工；同时计划基于台积电16nm工艺流片新品，实现供货渠道多元化。

公司目标是两条产品线都保持双供应链：Toggle MRAM为钱德勒厂 + 俄勒冈Microchip厂；STT-MRAM为格芯 + 台积电。Aggarwal认为当前产能不是瓶颈。

商业MRAM赛道也存在竞争。Aggarwal提到，韩国厂商Netsol依托三星晶圆代工，已经推出16Mb产品，预计其1Gb产品将在2028–2029年上市。

印度市场：航空航天、汽车与轨道交通机会

印度是另一块潜力市场，重点在航空航天国防、电动车与轨道交通领域。Aggarwal希望对接印度国防研究与发展组织（DRDO）、印度空间研究组织（ISRO）以及本土卫星企业。

潜在应用还包括电池管理系统、车辆数据记录仪以及飞控系统。Everspin正在扩充印度分销网络，洽谈本地合作，包括经销商以及外包封测（OSAT）方案。

公司也在和印度车企沟通，并挖掘轨道交通市场机会。Everspin的产品已经落地欧洲、日本、中国的轨道系统，用于存储运行数据。Aggarwal谈及印度轨道交通业务时说：“我们一直在对接这类潜在机会，很多内容暂时不能公开，但相关沟通仍在持续推进。”

眼下Everspin面临的挑战，是把MRAM在性能、可靠性上的优势转化为多市场的大规模落地。Aggarwal相信，随着制造效率提升、单位比特成本下降，需求会持续增长。