三星把基带芯片挪去2nm，腾出的4nm产线忙一件更赚钱的事

近日，三星电子正在对先进制程产能做一次再平衡。据了解，三星System LSI已决定让下一代外挂式5G基带M2800改用2nm工艺制造，预计2027年完成开发，将搭载于2028年发布的Galaxy S28系列，与下一代处理器Exynos 2800以双芯片配置协同工作。而基带上探2nm后腾出的4nm产能，将主要转向另一条正被AI点燃的赛道，HBM基础裸片。

先看这颗基带。M2800是三星基带路线图里的一次工艺跃迁，按原计划它本应停留在4nm，如今直接跳上2nm，相当于跳过一代节点直奔最前沿。这一决定的分量，在三星的基带演进史上并不寻常，此前的几代产品全都挤在4nm上。供应2026年Galaxy S26的外挂基带Shannon 5410基于4nm，供应2027年Galaxy S27的M2700同样沿用4nm，三星移动部门对M2700的内部测试评价不错，为其引入了光学收缩技术，在同一工艺节点内把掩膜等比缩小，让芯片面积收缩约4%，并把支持的3GPP标准从Release 17升到Release 18，顺带强化了非地面网络能力。从一代代基带都离不开4nm，到M2800一步迈进2nm，工艺路线转变背后，是三星对自家最先进节点越来越有底气的信号，也是把旗舰终端当成新工艺试验场的一步棋。

这份底气来之不易。台积电3nm良率在90%以上，而三星Foundry对标的2nm SF2工艺良率仅约60%。良率差距摆在那里，三星依然选择让基带第一个吃螃蟹，多少有些借自家终端产品为代工新工艺磨刀、攒实战数据的意味。2nm对三星不仅是终端旗舰的卖点，更是其代工业务翻盘的胜负手，M2800的落地节奏，某种程度上就是这场翻身仗的风向标。毕竟在先进制程的军备竞赛里，谁先跑通量产、谁先喂饱良率，谁就能抢到更多高端订单，这个道理三星比谁都清楚。

基带不需要的4nm产能腾出来之后，三星计划把这部分产能集中投向HBM基础裸片，也就是位于HBM堆栈底部、承担控制功能的底层芯片。据The Elec报道，三星代工4nm总产能中已有过半分配给HBM4基础裸片，部分业内人士估计占比落在50%到60%之间，对应月产能约1.5万片晶圆，三星官方尚未披露具体数字。这些产能集中分布在平泽第二、第三园区的S5、S6两条产线，该厂区4nm总月产能约3万片，等于说其中一半正为HBM服务。从一颗通信芯片到一颗存储控制芯片，同一批产线换了服务对象，产出的价值却截然不同。

HBM基础裸片之所以要占用逻辑工艺的宝贵产能，是因为它本质上是颗逻辑芯片，用成熟先进节点制造后，再与承载存储功能的核心晶粒堆叠封装。随着HBM堆叠层数一路走高，基础裸片要集成的控制电路越来越复杂，对逻辑工艺的要求水涨船高。三星今年2月全球率先量产了第六代HBM4，其基础裸片正是采用自家4nm工艺，核心晶粒由华城、平泽的1c DRAM产线自制，整条链路一体化。正在量产验证中的第七代HBM4E也延续这一思路，这条产线对三星存储护城河的意义，已经不亚于DRAM本身。HBM越做越高，基础裸片这块逻辑产能就越金贵。

把这一调配放进更大的图景，就看得出三星的算盘。一边是手机基带这类传统终端芯片，需求平稳但增长天花板可见；另一边是AI算力驱动下供不应求的HBM，瑞银预计2027年HBM需求量将同比增长91%至约6150亿Gb，而存储厂商新增出货预计仅约5460亿Gb，存在约10%的供给缺口。把有限的高端逻辑产能从基带挪向HBM基片，等于把产线配置到回报最陡峭的那一段，这是一道相当顺手的算术题。基带可以等新工艺成熟，HBM订单却等不起，产能向哪里倾斜，答案一目了然。

不过这条路并非没有博弈。英伟达定制HBM产品NVHBM，要求堆栈底部的基座晶粒统一采用台积电3nm工艺代工，承载存储功能的核心晶粒统一为第六代1c DRAM工艺，三星DS部门经内部审议后已接受这一条件。英伟达的思路是把原本位于GPU内部的存储控制器移入HBM堆栈底部的基座晶粒，这套设计可将PHY及相关辅助电路面积缩减最高67%，为计算芯片腾出最高25%面积，标称单堆栈带宽较标准HBM4E提升最高30%。这意味着三星标准HBM维持自家一体化生产，但面向英伟达的定制订单，基座晶粒制造收入流向了台积电，而这块业务恰是三星Foundry近年最重要的补血来源。有市场分析指出，正是HBM4的4nm基座晶粒订单激增，推动三星Foundry与System LSI部门合计营业亏损有望从2025年的6.74万亿韩元收窄到2026年的约3.92万亿韩元，减亏约42%。英伟达这一单，等于把三星Foundry最看重的增长故事切走了一块，也让三星同时身兼供应商与客户两种角色。