佳能加码后段光刻产能，2029年目标提升五成

近日，有消息称，佳能正针对半导体后段微影设备启动大规模扩产计划，到2029年，将后段制程微影设备产能较2026年提升50%，以此承接先进封装赛道快速增长的市场需求。本次扩产落地载体为佳能宇都宫事业所新工厂。该工厂已于2025年9月投产，预计2027年实现满产。佳能将依托这座新基地持续扩充产能规模，同时通过生产工艺、产线管理优化提升整体制造效率，同步放大后段光刻设备交付能力，应对持续走高的客户需求。

本次扩产的主力机型，是面向先进半导体后段工艺的i线微影设备。该机型已经实现对台积电的稳定供货，产品成熟度经过头部制造企业验证。而伴随AI算力产业带动HBM市场持续扩张，HBM配套先进封装产线带来的设备采购需求，进一步打开佳能i线光刻设备的增长空间。佳能半导体设备事业部长三浦圣也表示，自2025年年中前后，相关设备的客户洽询量出现明显激增，市场需求信号清晰。

后段i线光刻主要用于先进封装中的RDL重布线层、扇出封装、中介层等曝光工艺，是HBM、2.5D/3D封装方案里不可或缺的核心装备。不同于大家熟知的EUV、ArF光刻设备服务晶圆前段电路制造，后段光刻聚焦芯片异构集成环节，在硅中介层、多层RDL布线的图形化环节发挥作用。随着算力芯片互联密度不断提高，RDL的线宽线距持续向亚微米级别推进，对后段光刻的套刻精度、大面积拼接曝光能力、良率稳定性都提出更高标准，也直接推高了封测产线对高性能i线步进式光刻机的采购诉求。

在AI算力需求驱动下，芯片先进封装已经成为算力释放的关键环节，带动配套后段曝光设备走出独立于前端晶圆设备周期的增长曲线。不同于前段光刻设备动辄数亿美元的高昂成本、漫长交付周期，i线后段光刻技术路线成熟、验证周期短、交付节奏更快，适配先进封装产线快速扩产的诉求，成为当下设备市场里极具确定性的细分赛道。HBM持续迭代，堆叠层数不断向上突破，算力厂商、存储厂商同步扩建配套封装产线，每一条新建的2.5D封装产线，都会批量配置i线光刻设备用于中介层与重布线层制造，这也是本轮需求爆发最核心的源头。

佳能本轮产能规划，也和日本半导体设备行业整体高涨的景气态势形成呼应。日本半导体制造装置协会SEAJ在9月18日发布最新统计，2026年8月日本产半导体设备销售额，以三个月移动平均值统计、含出口口径达到5979.15亿日元，同比增长47.4%。该同比增幅创下54个月以来新高，行业销售额已经连续八个月保持正增长，连续六个月维持两位数增幅；同时单月销售额连续五个月突破5000亿日元，高于7月的5562.20亿日元，刷新协会自1986年开启统计以来的历史最高纪录。这份数据直观印证，日本半导体设备厂商正处在一轮强劲上行周期之中，佳能的扩产动作，正是这一轮景气浪潮下细分赛道需求爆发的缩影。

行业数据反映出全球芯片厂商资本开支的投放方向正在发生结构性变化。过往半导体上行周期中，市场焦点大多集中在晶圆前段制造设备，EUV、刻蚀、沉积设备持续占据行业讨论的核心。而本轮行情里，先进封装配套设备成为新的增长引擎。各大算力厂商、存储厂商持续加码HBM产能建设，封测企业同步扩建2.5D、3D封装产线，源源不断释放后段光刻、键合、测试等设备采购订单。摩尔定律放缓之后，单纯依靠晶体管微缩提升芯片性能的成本快速抬升，异质集成、Chiplet方案成为行业共识，先进封装由此承载起算力升级的重任，这条赛道的资本开支周期，也会比传统晶圆制程迭代周期维持更长时间。佳能选择此时锚定后段光刻扩产，正是瞄准这一长期增量市场，提前锁定未来数年的设备供给能力。