锚定1δ工艺，美光公布DDR6与400层NAND量产时间

近日，美光举办技术网络研讨会，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer公布了下一代AI存储路线图。美光披露的路线图显示，其下一代DDR6内存带宽将达到DDR5的两倍以上，LPDDR6能效较LPDDR5提升超过35%，两款产品均基于美光下一代1δ（1-Delta）DRAM工艺，计划于2027年下半年进入量产爬坡。美光同时宣布，其G11 NAND闪存将跳过G10，直接突破400层堆叠，同样锁定2027年下半年量产。在三星、SK海力士、美光三大原厂均已启动DDR6研发的背景下，美光首次将“1δ工艺”与“2027年下半年”这两个具体坐标同时写入路线图，在时间表上确立了明确的领先优势。

追求DDR6带宽翻倍，并非美光的独家目标，而是全行业共同发力的方向。根据JEDEC的行业路线图，DDR6传输速度最高可达17.6Gbps，约是DDR5规划上限的两倍。今年5月，三星、SK海力士、美光三家已同步启动DDR6前期研发，并向基板供应商下达需求。换言之，“两倍带宽”是整个存储行业共同推进的下一代标准。

美光这次的特殊性，在于它给出了其底层工艺节点和极其明确的时间表。

在工艺方面，1δ是美光DRAM技术路线上的第五代10nm级节点，前四代分别是1α、1β、1γ和1ε。根据美光在技术演讲中披露的数据，1δ工艺的位密度较当前1γ节点提升约20%至30%。在AI大模型持续推高内存容量需求的当下，位密度提升意味着同样的硅片面积能产出更多的存储容量。这不仅能直接缓解AI时代的内存容量瓶颈，也有助于减少超大规模数据中心不断攀升的硬件采购成本。美光明确表示，1δ工艺是为HBM5和下一代DDR6/LPDDR6产品准备的。

从时间表来说，从DRAM工艺研发到良率爬坡，再到大批量出货，通常需要12到18个月。美光把1δ的量产爬坡锁定在2027年下半年，说明它已经在工艺研发端跑通了关键节点。相比之下，三星和SK海力士虽然也在推进DDR6，但在这一轮公开披露中，并未给出量产时间承诺。目前，美光在时间竞赛中暂时领先。

除了DRAM主线的推进，美光的路线图也延伸到了NAND领域。将DDR6与G11 NAND放在一起看，能更直观地看出1δ工艺和2027年这个时间节点的战略分量。

G11 NAND是美光NAND路线图上的一次跨代升级。美光没有按部就班从G9走到G10，而是直接跳到了G11。这代产品的堆叠层数突破400层，位密度约为上一代G9的两倍，I/O速度提升1.5倍，每比特数据传输的能耗降低25%以上。G11采用了晶圆键合技术，在传统深孔刻蚀逐渐逼近物理极限的背景下，将两片晶圆贴合是NAND继续向高层数推进的关键工程手段。在量产时间上，G11 NAND同样锁定2027年下半年。

DDR6和G11 NAND虽然存储介质不同，但量产时间均锁定在2027年下半年。这背后是美光对存储产品线的统筹布局——DRAM负责应对AI推理中的KV缓存和HBM堆叠，NAND负责承接海量模型权重和冷数据，两者都需要更高的位密度和更低的功耗，而1δ工艺和晶圆键合技术正是美光同时推进两条主线的底层支撑。

此外，这份路线图还给出了vHBM（垂直高带宽内存）的远期规划。vHBM将DRAM芯片和逻辑芯片垂直堆叠，打破传统HBM的2.5D平面封装，目标2028年推出首代产品。但相比于DDR6和G11 NAND的2027年时间表，vHBM仍处于更早期的技术验证阶段。

综合1δ工艺与2027年的时间节点，美光这份路线图的战略意图已经非常清晰：在三星、SK海力士、美光三足鼎立的存储市场上，美光试图用明确的工艺节点和量产时间表，在下一代AI存储竞赛中占据先发优势。

但路线图不等于量产交付。从1δ工艺的良率爬坡，到DDR6在服务器平台上的生态适配，再到G11 NAND在数据中心和终端设备中的客户验证，每一步都需要时间和资金。美光已经给出了明确的量化指标和节点时间表，但2027年量产后的实际表现才是最终检验。最终的竞争格局，仍取决于谁能以更低的成本、更高的良率、更稳定的供应实现规模化交付。