三星让步英伟达，首度让台积电代工HBM基底芯片

近日，有消息称，三星电子已决定在英伟达下一代定制型高带宽内存NVHBM的生产中，允许英伟达将核心组件基底芯片（Base Die）交由台积电的3纳米制程代工。这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电展开合作，也是三星沿用多年的一站式全包（交钥匙）制造模式，在英伟达的技术要求面前作出的一次明显让渡。

据了解，英伟达已向三家NVHBM供应商，即三星电子、SK海力士和美光科技提出统一要求：采用台积电3纳米工艺制造基底裸片，同时核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM制程。NVHBM基于第七代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达今年8月发布的定制版高带宽内存，对应其下一代Feyman架构GPU。英伟达早前披露，相比标准HBM4E产品，NVHBM可提供最高约30%的额外内存带宽，并将功耗降低最多15%。这也是英伟达首次以定制化方式深度介入HBM设计，将自身对算力平台的调度需求直接写入存储芯片定义。

英伟达推动各供应商统一制造方案的直接动因，在于各家HBM厂商的工艺路线各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能表现。在统一基底裸片的代工厂与制程之后，英伟达便无需针对每家供应商分别开展独立验证，可显著节省工程资源并加快产品导入速度。从更深一层看，此举也是英伟达在多供应商策略下强化标准定义权的一步棋，通过掌控基底裸片这一逻辑关键环节，把原本分散在存储原厂手中的设计主导权部分收拢到自己手里。据称，三星负责晶圆代工业务的设备解决方案事业部在内部评估后，决定接受英伟达的要求。

从技术角度看，基底裸片在HBM结构中承担逻辑控制、接口连接与电源管理等职能，与决定容量和存储阵列能力的数据核心裸片分工不同。随着HBM代际演进，基底裸片的逻辑复杂度持续上升，对先进逻辑工艺的依赖也在增强。早期HBM的基底裸片尚可用成熟制程完成，如今它既要管理更高速率的数据接口，又要协同先进封装的信号传输，逻辑密度和设计难度都今非昔比。这意味着HBM的竞争不再只由存储工艺决定，逻辑基底、接口能力与先进封装的协同正在成为新的性能变量，也让台积电得以切入这个长期被存储原厂垄断的环节。

让步并非没有边界。报道指出，对于标准HBM产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代HBM4，第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研的4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。面向AMD等其他客户的定制HBM，三星也计划继续沿用全包方案。同时，三星保留了在自有晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示，三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，这是一项预案，以防未来NVHBM需求超出台积电的产能上限。

对台积电而言，此举意味着其在AI芯片供应链中的角色进一步外溢，从GPU主芯片代工延伸到HBM逻辑基底代工，逐步成为AI计算平台多个关键裸片的共同制造节点。代工竞争不再只是谁能拿到主芯片订单，还包括谁能进入HBM、先进封装和系统级交付的关键环节。对三星来说，接受与竞争对手台积电的合作虽有无奈成分，却是保住英伟达高价值订单的现实选择。此番表态的背景，是三星在HBM市场长期被SK海力士压制，直到今年才凭借HBM4的量产宣布重新夺得首发地位。此前行业数据显示，三星代工部门亏损已从2025年的6.74万亿韩元收窄至2026年的3.92万亿韩元，降幅约41%，高利润率的HBM业务被视作改善其盈利能力的重要支柱。

英伟达以一己之力重塑了HBM供应链的规则，让原本处于激烈竞争中的三星与台积电因下游需求而暂时联手。这一幕反映出，在AI基础设施竞争白热化的当下，芯片供应链的主导权正加速向上游的架构定义者与系统交付环节集中，存储原厂与代工厂之间延续多年的边界，正被重新划写。三星在标准产品与定制产品之间采取的双轨策略，也为这场合作的走向保留了足够的想象空间。