三星电子，规划三款zNAND

三星电子正在扩大下一代NAND闪存产品zNAND的应用场景。市场预计AI基础设施对定制化内存的搭载需求将持续增长，这也是三星应对多元化市场需求的战略布局。除近期对外公布的zNAND-O外，三星电子还在初步研发阶段将zNAND细分为zNAND-T、zNAND-I，合计三款产品。

三星曾于今年8月在美国存储行业会议上首次展示zNAND-O样机。

zNAND-O面向端侧AI设计。它摒弃传统引线键合从芯片外围传输数据的方案，采用硅通孔（TSV）技术，将NAND堆叠为4层或8层结构。数据传输路径得以缩短，能够提升速率与能效。

三星尚未官方发布相关信息，但据了解，公司内部正在研发zNAND-T与zNAND-I。zNAND-T主打高吞吐性能，面向大容量、高性能AI数据中心，核心特点是最大化半导体的数据处理带宽。该产品与zNAND-O类似，采用TSV互连实现NAND垂直堆叠，业内也将其称为高带宽闪存（HBF）。

zNAND-I则重点优化IOPS（每秒输入输出操作数）。带宽高代表单次可处理海量数据；而IOPS越高，代表每秒能够完成的读写任务越多。这也是高IOPS NAND在KV（键值）缓存这类需要频繁处理小容量临时数据的AI推理场景备受青睐的原因。

三星将下一代NAND产品做细分，最核心驱动力来自AI。全球科技巨头正在研发各类架构以提升AI数据处理效率，适配不同场景、经过专项优化的NAND闪存需求随之上涨。

SK海力士的AI NAND技术方案

SK海力士同样在开发面向AI的定制化下一代NAND产品。SK海力士已于去年下半年搭建起 “AI-N（AI-NAND）产品家族”，包含AI-N P（性能版）、AI-N D（密度版）、AI-N B（带宽版）三款产品。

具体而言，AI-N P是一款能在大规模AI推理环境中高效处理海量数据输入输出的解决方案，可以最大限度减少AI运算与存储之间的瓶颈现象，大幅提升处理速度和能源效率。SK海力士正在以新结构设计NAND和控制器，并计划于2026年底推出样品。

AI-N D是一款专注于以低功耗、低成本存储大容量数据的高容量解决方案，适合AI数据的保存。其目标是打造一款中间层级存储产品，相比现有基于QLC（四级单元）的TB级固态硬盘，将容量提升至最高PB级，同时兼具固态硬盘的速度和机械硬盘的经济性。

AI-N B是通过堆叠NAND来提升带宽的解决方案，SK海力士应用了名为 “HBFTM” 技术的产品名称。HBF与通过堆叠DRAM制成的HBM类似，指的是通过堆叠NAND闪存制成的产品。

此外，在AI-D（AI DRAM）方面，SK 海力士正从优化角度开发支持总拥有成本降低和运营效率提升的低功耗高性能DRAM“AI-D O（Optimization，优化型）”。同时正在准备第二代超高容量且可灵活分配内存的 “AI-D B（Breakthrough，突破型）” 解决方案。此外还计划从应用领域拓展角度，推出将应用场景延伸至机器人、移动出行、工业自动化等领域的 “AI-D E（Expansion，拓展型）” 产品。