美光1γ DRAM节点量产强劲，成为AI内存主力制程

近日，美光科技在2026财年第四季度财报中披露，其1γ DRAM节点已成为公司历史上出货量最大的DRAM节点。该节点是业界首个采用EUV光刻技术的DRAM节点，2025年开始量产，2026财年第四季度出货量达到峰值。财报同时披露，2026财年全年营收1331.88亿美元，同比增长256%；DRAM产品营收1006.80亿美元。

美光已基于1γ工艺向Intel、AMD等客户交付DDR5内存样品，并推出256GB DDR5 RDIMM服务器内存模块，传输速率达9200MT/s，较当前量产模块快40%以上。

1γ节点量产强劲，EUV光刻首次用于DRAM

EUV光刻使用波长13.5纳米的极紫外光，相比深紫外光刻，能在更小的线宽下实现更高图形精度。同样面积可以做出更多存储单元，或在同样容量下缩小芯片面积。美光在1γ节点上还引入了新一代高K金属栅极CMOS技术，提升了晶体管开关性能，同时通过EUV减少了多重曝光步骤，简化了工艺流程。

1γ节点是美光从深紫外光刻向EUV光刻过渡的关键一步。此前1α和1β节点虽然通过多重曝光实现了10nm级制程，但步骤多、成本高。EUV的引入让1γ节点在保持高密度的同时，减少了光刻步骤，提高了生产效率。再加上此前在1α和1β节点上积累的工艺经验，为1γ的快速量产提供了基础，让美光能在较短时间内完成了1γ的快速爬坡。

1γ产品线覆盖DDR5和LPDDR5X，瞄准AI服务器和边缘设备

在服务器领域，美光推出了基于1γ工艺的256GB DDR5 RDIMM内存模块，传输速率达到9200MT/s，较当前量产模块快40%以上。该模块采用3D堆叠与硅通孔工艺，将多颗内存晶粒整合于单一模块中。与两个128GB模块相比，单个256GB模块可降低40%以上的运行功耗。这样一来，在同等内存容量下，数据中心可以降低电力消耗和散热负担，提升机架部署密度。该模块已向核心服务器生态系统合作伙伴送样，用于下一代CPU平台验证。

在移动和边缘设备领域，美光将1γ LPDDR5X产品线扩展至6GB、12GB和24GB三种非二进制容量选项，最高传输速率10.7Gbps，较上一代9.6Gbps提升约11%。非二进制容量可以让设备厂商更灵活地搭配内存规格，减少资源浪费。该系列封装厚度低至0.61毫米，较上一代降低14%，适配折叠屏和超薄设备的结构设计。这些产品面向AI PC、智能手机和汽车等边缘AI设备，已于2026年7月正式上市。

在AI PC和智能汽车场景中，非二进制容量选项让设备厂商可以根据本地AI模型规模灵活配置内存，6GB和12GB适合入门级设备24GB适合更大参数量模型。

1γ节点在产能结构中的角色正在变化

1γ节点的量产进度，说明美光的DRAM主力制程正在从旧节点切换到1γ。

美光在1α和1β节点上延续了深紫外光刻路线，EUV的引入时间晚于三星和SK海力士。但1γ节点的爬坡速度弥补了这一时间差。美光管理层披露，1γ节点实现了公司历史上最快的良率爬坡，量产规模扩张速度也远超此前所有节点，这说明它在产能中的占比已经超过了此前的主力节点。

1γ节点的快速上量还有一个背景：美光下一代1δ节点预计于2027年下半年进入大规模量产，在此之前，1γ节点需要承担DRAM产品线的主力供给任务。所以，1γ节点的产能爬坡不仅关乎当前出货，也关系到美光在下一代节点量产前的供给连续性。

在AI内存需求持续紧张的背景下，1γ节点的产能释放是美光能否满足客户需求的关键。美光管理层此前预警，HBM、DRAM及NAND的供应紧张局面预计将持续到2026年之后。正在等待内存到货的AI服务器客户，更关心1γ节点的产能释放节奏，而不是制程参数。1γ节点覆盖DDR5、LPDDR5X和汽车级DRAM，承担多产品线的主力供给任务。随着AI服务器、AI PC和智能汽车需求同步增长，1γ节点的产能分配将影响美光在不同市场的供应优先级。

从更长期看，随着1γ节点在2027年成为美光DRAM的主力供给，AI服务器和数据中心客户在内存采购上的选择空间可能逐步扩大，供应紧张局面也有望得到缓解。