三星HBM4E 12层通过英伟达质量验证

据韩媒报道，经证实，三星电子新一代高带宽内存HBM4E 12层产品，已通过英伟达以及头部超大规模云厂商的质量验证。该测试是按照客户要求标准开展的产品验证流程。不过目前确认的信息仅为质量验证通过，各家客户的供货量、合同规模以及量产供货时间暂未确定。

HBM4E基于HBM4的基础架构，提升了运行速率、带宽与能效。三星电子在今年2月宣布HBM4量产出货，随后在5月向全球客户交付HBM4E 12层样品。当时三星并未公开接收样品的客户名单，但行业普遍推测客户包含英伟达以及各大头部超大规模云厂商。

根据此前公布的信息，三星电子12层堆叠HBM4E产品容量为48GB，相较上一代产品提升超30%。三星还将根据客户需求，陆续推出8层32GB、16层64GB等不同规格版本，丰富产品矩阵。HBM4E充分整合三星完整的半导体技术实力，沿用HBM4量产阶段打磨成熟的前沿技术，包括业界领先的第六代10纳米级1c DRAM工艺，以及三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片，保障产品拥有更出色的工艺稳定性与量产能力。

三星HBM4E单引脚稳定运行速率为14Gbps，最高可提升至16Gbps，能够应对日益严苛的数据处理需求。相较HBM4，其速率提升超20%；单堆叠内存带宽最高可达3.6TB/s，可充分释放大语言模型（LLM）与新一代AI系统的运算性能。

三星对HBM4E的存储及逻辑架构完成设计与工艺优化，进一步提升产品性能、能效与良率。其中，凭借先进低功耗设计与封装结构优化，该产品能效较上一代提升16%，热阻性能改善超14%。以上优化可实现更高效的散热效果，让新一代数据中心在高负载运行场景下，长期保持稳定运转，并降低整体能耗。

三星于今年2月推出的HBM4收获了全球客户的广泛好评，其性能与能效表现备受认可。作为业内首款实现量产的产品，HBM4在系统级封装（SiP）测试中跑出11.7Gbps的速率，树立起行业标杆。目前HBM4供货规模稳步扩大。采用同款核心芯片与基底芯片的全新HBM4E，预计很快迈入量产阶段，助力新一代AI系统加速创新。依托覆盖存储、晶圆代工、逻辑芯片设计及先进封装的全产业链布局，三星将持续为高速发展的AI市场，提供稳定的半导体产品供应。

而现在继今年2月HBM4实现量产出货后，三星电子的迭代产品HBM4E也完成主要客户质量验证，为在下一代HBM供货竞争中抢占先机打下基础。行业评价认为，在与SK海力士、美光竞争的高性能AI内存市场，三星有望借着产品代际更迭，提前扩大供货机会。

三星电子存储器事业部研发负责人、副总裁Sang Joon Hwang此前表示：“继HBM4顺利量产后，三星凭借HBM4E再度彰显独到的技术优势。我们将依托领先的制造能力与前瞻性的产能布局，持续推动全球AI内存市场发展。”