iPhone 18 Pro拆解，QLC存储的代价与三倍均热板

iPhone 18 Pro 系列上周开卖，苹果在高容量版本上把存储介质换成了 QLC NAND，这个选择带来的代价，要到持续重载下才显形。B 站频道 Homolab 拿一台 1TB 版 iPhone 18 Pro Max 做了测试，存储写入速度最低能掉到 1.1 MB/s。

QLC 与 TLC 的差别在每单元存多少数据。QLC 每个存储单元存 4 bit，TLC 存 3 bit。同样的物理空间可以做出更大容量，代价是速度，处理大批量数据时尤其明显。

混合负载落后 38%

Homolab 把 1TB 的 QLC 版 iPhone 18 Pro Max，与 512GB 的 TLC 版 iPhone 18 Pro 放在一起对比。4K 读取测试两者表现接近；在低队列深度的混合负载里，QLC 版落后 38%，得分 8168，TLC 版为 11285。负载加重之后差距收窄，TLC 版仍保持 12% 的优势。

持续写入要下三级台阶

iPhone 18 Pro Max 的写入路径分三段。第一段是 SLC 缓存，速度最高 3000 MB/s。SLC 缓存耗尽后，由二级的 TLC 缓冲接手，平均约 578 MB/s。两级缓存都写完，数据只能直接落到底层 QLC NAND 上，持续写入速度跌至 79.4 MB/s，偶尔低到 25.6 MB/s。

盘越满，情况越差。容量用到 60% 时，可用的 SLC 缓存从 250GB 缩到 58GB，二级缓冲降到 396 MB/s，直写 QLC 平均只剩 45 MB/s，偶尔低至 1.1 MB/s。

这个水平已经与不少廉价 microSD 卡相当，microSD Express 卡要快得多。需要说明的是，以上都是合成基准测试，代表的是最坏情况。浏览网页、发消息、玩游戏、拍照这类常规任务不会出现性能问题。能感知到降速的负载集中在几类，4K 或 ProRes 录制、大文件传输、备份还原。Homolab 这组测试指向的是同一个结论。用 QLC NAND 做高容量旗舰手机的存储，是一笔有代价的交换。

芯片与主板布局

封装变化与散热

iPhone 18pro系列的电池托架沿用旧有设计，主板布局则是新的。A20 Pro 移至主板夹层外侧，去年的 A19 Pro 位于夹层内部，内存堆叠于其上。此次内存改为与处理器并排布置，为发热芯片到散热系统之间让出更直接的通道。苹果将这一封装变化列为新散热设计的组成部分，它也让 A 系列芯片的设计更接近 M 系列。

A20 Pro 芯片顶部的导热网层，用于与散热组件保持稳定接触。

芯片紧贴改进后的新均热板，中间夹有一层海绵状垫片。

导热界面材料形态多样。此处采用可贴合的界面材料填充间隙，帮助 A20 Pro 的热量均匀导出。

均热板随后将热量铺展至更大的面积。在密封腔体内，工质于热区附近蒸发，蒸气向较冷表面移动并凝结放热，毛细结构再通过毛细作用将液体送回，进入下一轮循环。

今年的均热板覆盖机身大部分区域，苹果给出的表面积数据为扩大到三倍。厚实的均热板配合仍采用铝合金的一体成型机身，散热表现相当可观。

左为 iPhone 18 Pro 的均热板与电池托架，右为 Pro Max

闪存位置与数据恢复

将 SoC 移至主板外侧，机身散热表现进一步提升。但主板其他位置的维修难度随之上升，闪存现已位于主板夹层内部。需要接触这些芯片的精细操作，第一步是分离板层，增加了热量、工时，以及在原始故障尚未处理前引入新损伤的可能。

主板右侧，包含闪存

这一区别对数据恢复同样关键。数据恢复机构通常会对腐蚀主板进行排查与修复，直至能够启动并完成备份。由于 iPhone 的数据保护依赖加密，闪存无法直接移植。确实需要接触原始闪存的数据恢复工作，难度明显上升。

iPhone 18 Pro 与 Pro Max 主板对比：左为 iPhone 18 Pro 主板，右为 Pro Max。

基带

在通信基带方面，18 Pro 与 Pro Max 各版本均搭载苹果自研的新 C2 芯片，唯美国版 18 Pro Max 例外，仍使用功耗更高的高通移动芯片。问题在于，苹果为何仍需使用高通方案。

分离并开盖后的 Pro（左）与 Pro Max（右）主板。高通标志出现在 iPhone 基带上，或为最后一次。

苹果显然并不需要。但数年前，苹果通过与高通和解，同意在 2026 年之前至少为部分 iPhone 采用高通芯片。高通芯片功耗略高于 C2，因此仅用于美版 18 Pro Max 也合乎逻辑，该机型因采用 eSIM 而拥有今年产品线中容量最大的电池。终端用户大概率不会察觉差异，而这很可能是最后一款采用高通芯片的苹果设备。