银河微电拟投资10.78亿元建设高端核心器件产业化项目

银河微电公告称，公司拟以自有或自筹资金投资10.78亿元实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。该项目系公司已披露的“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。本项目所涉产品，是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件；主要包含SGTMOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。