高塔半导体日本扩产硅光子，月产能有望提升40倍

高塔半导体计划在日本北陆地区扩建硅光子（SiPh）、硅锗（SiGe）以及先进封装产能，将日本打造为其最大的光通信半导体制造基地，以此承接AI数据中心不断增长的需求。

高塔半导体在今年7月公布一项战略投资计划，投资范围覆盖富山县鱼津市、新潟县妙高市的厂区。项目最高可获得1600亿日元（折合10亿美元）日本政府补贴，高塔半导体预计总投资达30亿美元。高塔半导体计划把位于妙高市的Arai厂区改造为300毫米硅光子与先进封装生产基地，同时扩大鱼津Fab7工厂的300毫米产能。项目一期目标在2027年第四季度实现全面投产；Fab7厂区旁将新建一座工厂，作为项目二期。

据悉，日本政府为该项目设置了供应链安全相关附加条件，包括工厂需持续生产10年，一旦出现光芯片短缺，要优先保障日本国内供应。报道称，妙高厂区预计2027年5月投产，鱼津新工厂计划在2028年下半年投产。

本次扩产的背景是，光互联在AI基础设施中的重要性持续提升。路透社消息显示，格芯与Marvell近期也在扩充硅锗产能，用于高速光连接，同样是出于AI数据中心需求增长的考量。TrendForce预测，共封装光学（CPO）与近封装光学市场规模合计将从2025年约1亿美元，增长至2030年超390亿美元。

另有报道称，高塔半导体正在扩大与Nvidia在1.6T数据中心光模块领域的合作。公司CEO Russell Ellwanger表示，企业正考虑与NTT在光电融合技术上开展合作。NTT的IOWN战略，目标是在计算系统内部更深层部署光连接，以此提升带宽、降低功耗。

高塔半导体预计，到2029年后，日本光半导体月产能将达到约45000片300毫米晶圆，约为2025年产能的40倍，日本将成为其规模最大的光通信产品生产基地。

产能有了，客户情况如何呢？今年5月高塔半导体已与核心大客户签署多项硅光子（SiPho）合作合约，锁定2027年硅光子业务营收13亿美元，同时收到客户为产能预留支付的2.9亿美元预付款。除此之外，客户还就2028年晶圆采购签订了规模更大的框架合约，相关额外预付款需在2027年1月前完成支付，进一步巩固了前期合作意向。

这笔预付产能预留属于客户契约性长期承诺，其实际整体需求以及高塔半导体的出货预估规模还要更高。目前高塔半导体拥有超50家活跃硅光子客户，覆盖各类硅光子应用场景，来自广泛客户群体的需求预测，将进一步抬升2027年整体市场需求量。

高塔半导体CEO Russell Ellwanger表示：“这批长期合作协议，进一步巩固了公司在高速增长的光互联市场中的核心战略地位。多年期客户承诺，既体现了双方战略合作的深度，也印证了客户高度认可高塔半导体的交付能力。我们具备差异化、多代际演进的硅光子技术路线，能够匹配AI基础设施扩张带来的性能需求持续升级。”

他补充道：“依托独特的制造规模、完整技术布局以及持续扩容的全球产能，我们既能满足当下大规模可插拔光模块需求，也可支撑下一代近封装光学（NPO）与共封装光学（CPO）方案落地，助力数据中心在带宽、能效与互联性能上持续扩容演进。”