三星HBM基底芯片，将双供应链并行

三星电子用于高带宽存储器（HBM）的基底芯片供应策略，在定制化HBM（cHBM）时代或将迎来重大转变。公司将摆脱仅依靠内部晶圆厂自主生产的模式，推行一套同时使用台积电工艺制造基底芯片的双路线策略。定制化HBM能够在芯片内部集成英伟达等全球科技巨头所需要的部分逻辑功能，市场预期未来该领域需求将快速增长。外界分析，三星电子此举意在提升基底芯片供应链的灵活性，以此应对各类客户的多样化需求。

三星电子计划针对定制化HBM的基底芯片，同时采用三星晶圆厂与台积电两套工艺。HBM由多颗DRAM垂直堆叠而成的核心芯片，以及位于其下方的基底芯片共同构成。基底芯片负责连接存储器与系统半导体，实现高速数据收发。

随着HBM技术迭代，基底芯片的重要性持续提升。从今年量产的HBM4开始，三星电子、SK海力士均不再沿用传统DRAM工艺，转而使用晶圆代工工艺生产基底芯片。相比DRAM工艺，晶圆代工工艺可以在基底芯片上集成更多功能，在性能与能效方面更具优势。

定制HBM时代来临：NVHBM登场

进入定制化HBM时代后，基底芯片将迎来又一次重大变革。定制化HBM的核心理念是根据客户需求，在基底芯片上搭载定制功能。从产品设计到制造的全流程，都需要客户、存储厂商以及晶圆代工厂多方协同。

英伟达上月发布的NVHBM就是典型案例。它属于定制HBM架构，核心变化是将存储器控制器功能，从原有AI加速器转移到HBM基底芯片，该技术计划从HBM4E开始落地。相比标准HBM4E，它最高可将存储器带宽提升30%，同时降低最多15% 功耗。

亚马逊被视作NVHBM的首个落地客户。亚马逊内部半导体研发部门Annapurna Labs，计划基于NV‑Link Fusion与NVHBM技术，设计新一代AI加速器Trainium4。

三星电子基底芯片供应链：推行双路线策略

供应链格局也随之发生改变。过去，三星电子一直依靠内部系统LSI事业部与晶圆代工事业部，实现HBM基底芯片自给。但在NVHBM这类定制HBM产品上，三星还将引入台积电生产的基底芯片。产品以三星自研HBM核心芯片为基础，根据客户需求，混合搭载由三星晶圆厂或者台积电制造的基底芯片。

一位知情业内人士表示：“三星计划根据客户需求，采用内部晶圆厂 + 台积电双路线来供应NVHBM所需基底芯片。最终是否采用、占比多少，将取决于终端客户的实际需求。”

不执着全套交钥匙方案，优先供应链灵活性，存储事业部主导项目

据了解，当台积电代工生产三星HBM配套基底芯片时，芯片的相关设计、优化支持工作由三星电子存储事业部负责；内部系统LSI事业部仅负责面向三星自有晶圆厂的产品设计。

另一位业内人士介绍：“已有部分原系统LSI事业部人员转入存储事业部，台积电基底芯片相关工作就由这批人员承担。目前已经有客户，正在基于三星HBM核心芯片搭配台积电工艺基底芯片进行产品设计。”

与此同时，三星电子针对定制HBM基底芯片采用双供应源，也被解读为规避供应链上被孤立风险的策略。

当前，台积电凭借自身的晶圆制造与封装工艺，已经和英伟达等全球科技巨头建立稳固的供应链，在稳定性、性能层面获得客户高度青睐。在此背景下，如果三星一味坚持只用自家晶圆厂做全套交钥匙生产，很可能无法满足客户各类定制化需求。