不用EUV，FeRAM研发低成本HBM替代存储

经过七年的隐匿运营，初创企业Kepler Computing对外亮相，希望依靠自研存储技术化解存储危机。这家初创公司宣称，已经采用全新3D堆叠工艺与新型材料，开发出HBM替代方案，并且无需依赖先进半导体工艺节点。据悉Kepler计划采用铁电存储器（FeRAM）技术。借助FeRAM，Kepler可以达到HBM的标准容量，同时大幅降低制造成本。

据报道，该公司已经攻克多项量产难题，复合材料历经35轮迭代，最终确定一款可规模化的设计方案。现代存储芯片生产大多需要EUV光刻设备，但Kepler打算利用现有成熟工艺节点，基于FeRAM制造HBM以及SRAM产品。在与格芯的早期合作中，Kepler仅用8个月就将一座标准28nm工厂改造为存储晶圆厂，远快于传统DRAM产线通常24个月的建设周期。

目前，该新技术已经完成约2000片晶圆流片，首批HBM样品预计将于今年晚些时候推出。面向大规模量产，公司计划明年在格芯新加坡工厂启动生产，美国本土工厂则定于2028年投产。该公司也完成了大额融资，过去几年累计获得约4.68亿美元资金，投资方包括格芯，还有两大芯片巨头Intel Capital、AMD Ventures，这些投资方未来很有可能成为其客户。

Kepler Computing官方表态： “存储是制约AI算力的最大瓶颈。经过七年攻坚，我们结束隐身模式，推出面向AI的新一代存储。它单位功耗带宽接近SRAM，容量最高达到SRAM、HBM的10倍。我们已融资4.68亿美元，建成专用产线；AI存储芯片今年出样，明年进入量产爬坡。2027年已有产能规划，2028年将完成美国本土产能扩张。”

行业仍存在部分质疑声音：过去已有不少存储领域初创企业涌现，但大多难以解决良率与技术可行性难题。倘若Kepler真的突破了上述技术障碍，期待尽快看到这款类HBM芯片，以及它的容量、带宽等各项具体参数。

无需先进晶圆厂，也能做出尖端存储

Kepler依靠基础材料科学打造这套全新存储技术。目前公司声称已经取得实现该存储方案所需的 “根本性技术突破”，现阶段只需完成规模化落地，在数千片晶圆上拿到稳定良率。Kepler没有对外披露这款铁电存储器使用的复合材料。公司CEO Debo Olaosebikan表示：“我们使用的材料种类不多，其中部分并非主流铁电材料里的常见品类。”

凭借材料层面创新，Kepler打造HBM替代产品不需要先进EUV设备。虽然仍要对现有产线进行设备改造，但改造对象是成熟的28nm产线。作为参考，AMD的Zen架构之前一代CPU就曾采用格芯28nm工艺，AMD在2017年才推出首款基于Zen架构的锐龙处理器。

Kepler Computing能否拯救全球存储市场？

倘若Kepler Computing能够拿出可商用的HBM竞品，将有助于缓解AI数据中心需求给DRAM市场带来的压力。如果该方案能够降低行业对HBM的需求，部分HBM产能就可以转向DDR5 DRAM生产，进而缓解存储紧缺。

由于Kepler的铁电存储基于老旧成熟工艺，改造现有产线来生产存储芯片，相比新建DRAM/HBM工厂，速度更快、成本更低。Kepler过去数年间已经拿到大额融资，累计金额4.68亿美元。

一旦技术取得成功，它将动摇HBM在AI市场的垄断地位，缓解全球存储短缺。但即便技术落地，这款存储仍需要数年时间，才能搭载到终端产品并真正产生行业影响。