AMD：HBM供应是最大的挑战

AMD表示，其下一代AI加速器的市场需求超过预期，但包括高带宽内存（HBM）和半导体基板在内的关键零部件供应仍然紧张。搭载三星电子第六代HBM4的全新“Helios”平台订单已超过最初预期，供应链保障能力正成为决定公司业绩增长的重要因素。

据业界10日消息，AMD高级副总裁Jean Hu在当地时间8日举行的花旗集团2026年全球TMT大会上表示，“AI超级投资周期才刚刚开始”，AMD产品的强劲需求仍将持续。针对Helios平台，她表示，公司对第四季度营收实现显著增长充满信心，这一增长势头有望延续至2027年。Helios于今年7月正式进入量产，以应对英伟达AI超级芯片“Vera Rubin”。该平台搭载新一代AI加速器“MI455X”，需要配备432GB HBM4，容量较英伟达Vera Rubin高出50%。

Jean Hu表示：“Helios在2027年的订单量已经超过最初预期。”她指出，AMD需要进一步扩大供应，但包括HBM和半导体基板在内的零部件供应都非常紧张，同时先进封装产能也存在限制。她补充称：“我们正在与所有合作伙伴合作，以确保各种零部件的供应。”由于三星电子将为MI455X供应HBM4，AMD扩大Helios销售规模预计将进一步加剧HBM供应紧张。Jean Hu同时强调，采用第五代HBM3E 12-Hi产品的上一代AI加速器“MI350”目前仍保持非常强劲的需求。

对晶圆代工多元化持谨慎态度

对于未来是否扩大与英特尔晶圆代工业务的合作，AMD目前表现出相对谨慎的态度。目前，AMD包括“Venice”在内的最新一代CPU以及AI加速器，均采用台积电先进晶圆代工工艺制造。

不过，随着多家企业的AI芯片制造订单涌入台积电，产能供应趋紧，三星电子和英特尔的晶圆代工业务开始成为潜在替代方案。近期，英伟达、特斯拉和苹果均选择三星电子作为晶圆代工合作伙伴，以实现供应链多元化。与此同时，据报道，AMD也正在与三星电子讨论采用其2nm工艺的可能性。Jean Hu当天表示：“台积电不仅是供应商，也是我们非常紧密的研发合作伙伴。”她强调，“台积电仍将是AMD的主要供应商，这一点不会改变。”她进一步指出：“最重要的是产品质量、先进工艺技术以及3D封装”，供应商“必须能够可靠地支持我们所追求的一切”。

不过，同样出席会议的AMD副总裁Matt Ramsey则为未来晶圆代工多元化留下了空间。他表示：“请理解，在先进封装或先进晶圆相关技术方面，我们会对市场上的每一家供应商进行技术评估和尽职调查。”

AI芯片需求扩张，供应链承压

AMD对于HBM供应紧张的表态，反映出AI半导体需求正在从个别企业向整个产业扩散。9日，在韩国仁川松岛会展中心举行的“KPCA Show 2026国际研讨会（INSIGHT 2026）”上，SemiResearch Lab首席执行官卢根昌表示，明年谷歌将在英伟达之外进一步扩大AI芯片对外销售，行业竞争格局将更加激烈。随着AI加速器数量增加，以及高层数、大尺寸基板需求增长，相关产品的供需可能进一步趋紧。

目前，AI基础设施市场主要由以英伟达为核心的通用GPU系统主导。但谷歌、亚马逊云科技（AWS）、Meta和微软等超大规模云服务商正在加快自主ASIC开发，以降低总体拥有成本（TCO）并巩固自身竞争优势，推动相关芯片市场快速增长。

近期，部分云服务商甚至开始向外部客户提供自研ASIC，使其成为AI芯片市场新的需求来源。谷歌的张量处理器（TPU）就是其中的代表。去年10月，Anthropic宣布将扩大对Google Cloud TPU的使用规模，最高达到100万颗。因此，今年预计将新增超过1GW的计算能力。卢根昌还强调，FC-BGA的需求不仅将在出货量上快速增长，在基板面积方面也将明显扩大。

AI加速器的封装尺寸通常大于普通PC和服务器处理器，同时需要在单一系统中连接包括HBM和Chiplet在内的多个半导体。随着计算性能不断提升，供电和高速信号传输的电路设计也变得更加复杂，进一步推动基板面积和层数增加。他表示：“AI加速器数量本身的增长固然重要，但基板的层数也在增加，尺寸也越来越大。如果从面积而非数量来看，基板供应可能会变得更加紧张。”

AI投资热潮蔓延至半导体设备市场

AI半导体需求的扩张也正在影响半导体制造设备市场。随着三星电子和台积电确定采用ASML下一代光刻设备——High-NA EUV，AI半导体投资热潮正进一步向上游制造设备领域传导。

据当地时间8日CNBC报道，三星电子和台积电已经决定在先进半导体量产中采用ASML的High-NA EUV设备。三星电子计划从2028年开始将该设备引入先进DRAM生产，台积电则计划从2030年开始将High-NA EUV应用于先进制程的大规模生产。

继英特尔今年7月宣布将High-NA EUV用于先进半导体制造后，全球最大晶圆代工厂台积电以及主要存储芯片厂商三星电子也加入了ASML下一代光刻设备的客户阵营。High-NA EUV是下一代光刻设备，相比现有EUV，可以在晶圆上实现更加精细、复杂的电路图案。单台设备售价约4亿美元。除了技术优势之外，半导体企业究竟会以多快的速度承担如此高昂的成本，并将其真正应用于量产，一直是影响ASML未来增长前景的重要变量。华尔街认为，三星电子和台积电的决定降低了这一不确定性。巴克莱在一份报告中表示，这一消息“将提高市场对High-NA EUV采用情况的可见度”，此前市场一直对此存在讨论，因此整体影响“偏积极”。

AI半导体竞争被认为是推动High-NA EUV需求增长的重要因素。台积电预计，随着先进制程持续演进，需要使用High-NA EUV的工艺层数也将不断增加。台积电特别指出，“AI应用所需要的日益复杂的晶体管结构”是推动需求增长的主要因素。目前，市场关注点已转向ASML的产能扩张计划。ASML近期宣布，计划到2027年将其EUV设备总产能提高约30%。

巴克莱认为，三星电子和台积电的采用计划提高了市场对ASML生产计划的可见度，并表示：“ASML将需要认真考虑，是否要在近期提高的目标基础上，进一步扩大EUV产能。”该机构同时判断，“需求显然非常强劲”。

面对不断增长的AI半导体需求，ASML也已经开始扩大生产能力。据报道，ASML近日在其荷兰费尔德霍芬总部附近的一处约35公顷土地上举行新生产设施奠基仪式。该项目第一阶段建设预计于2029年完成。目前，ASML的EUV设备产能已经基本排满至2027年。

对于三星电子而言，AMD强劲的HBM需求预计将进一步增强其在价格谈判中的话语权。搭载三星电子第六代HBM4的MI450系列，被认为将成为推动AMD明年业绩增长的重要产品。不过，如何 满足高性能AI加速器需求的HBM等存储器供应，仍将是AMD面临的关键挑战。