荷兰光刻机制造商阿斯麦(ASML)与台积电宣布成立行业合作计划,推动高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)光罩从目前的6英寸向12英寸升级,以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线,并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。
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