突破内存成本瓶颈，铠侠闪存替代DRAM

铠侠向着一项宏大目标又迈进一步：在部分AI工作负载中，用闪存替代DRAM承担部分内存任务。该公司在东京的技术简报会上展示了一款CXL（计算快速互联）模块，这款模块以经过性能大幅优化的专用NAND芯片XL‑Flash为核心。

这款面向AI计算场景、旨在替代部分DRAM负载的CXL模块，采用经过高速处理优化的NAND闪存。铠侠表示，使用CXL模块替换部分DRAM，在同等成本条件下内存容量可以实现翻倍，同时性能提升30%。

基于XL‑Flash高性能专用NAND芯片打造CXL内存扩展模块。

CXL是一种接口标准，它可以把系统内部不同类型的内存与设备整合为一个统一的大内存空间，支持按需动态分配容量。这就让基于NAND闪存的CXL模块具备了与DRAM竞争的成本优势。DRAM虽然数据读取速度极快，但容量扩展难度高，并且成本昂贵。

与之相对，基于NAND闪存的CXL方案，能够以低于纯DRAM配置的成本构建超大内存池。在部分AI工作负载下用NAND替代DRAM，关键要依靠不断演进的系统架构：以接受更高访问延迟为代价，换取更高存储密度与更低的单位比特成本。

闪存迎来发展机遇

同等成本下，NAND闪存可以提供大得多的存储容量；但它的访问延迟单位是微秒，而DRAM是纳秒。不过，如今数据中心内存分层、边缘AI等新兴应用，为支持混合延迟存储层级的系统打开了新的发展空间。

这类系统可以把对时间敏感度较低的任务交由闪存内存处理，而将DRAM留给对性能要求严苛的任务。以数据中心的机器学习模型推理为例，只要延迟不会比高带宽内存（HBM）高出一个数量级以上，延迟带来的影响就并不突出。

在边缘AI场景中，设备大多运行预训练模型，铠侠这款CXL模块可以充分发挥NAND大容量的优势；同时又规避了NAND写入速度慢、耐久度有限的短板，并且其低功耗特性也契合对能耗敏感的边缘设备环境。

处在这项内存技术变革的节点上，CXL模块能够提升NAND闪存的处理速度，以此推动在AI服务器中用闪存承接部分DRAM的需求。如果NAND闪存能够承接数据中心服务器、边缘AI等新兴场景的一部分DRAM容量需求，闪存的市场规模就会进一步扩大，挤压DRAM芯片的市场空间。

CXL复用PCI‑Express物理层，在与CPU、GPU协同工作时，会带来100‑200纳秒的额外延迟。

不过，铠侠这项 “闪存替代DRAM” 的方案属于补充型技术路线，而非核心架构设计。该方案瞄准的是那些可以弱化DRAM依赖的特定NAND应用场景。但问题在于，为什么铠侠要做这件事？

铠侠的内存战略诉求

和美光、三星、SK海力士这些头部内存厂商不同，铠侠没有DRAM产品矩阵。这就使得这家日本存储芯片厂商处于不利地位：主要竞争对手可以同时掌握DRAM与闪存两套技术。换言之，只专注NAND闪存已经成为铠侠的一项发展短板。

来自多方的竞争压力，促使铠侠寻求差异化竞争策略。它需要依托现有的NAND闪存技术挖掘新价值，推出基于NAND的CXL模块，承接一部分DRAM需求，就是其中一项举措。但这只是故事的一半。

在基于NAND闪存的CXL模块设计中，虽然各项技术取舍已经研究透彻，但落地还需要配套软件栈与系统设计，既要发挥成本、密度优势，又要管控延迟带来的负面影响。这就离不开服务器厂商、大型云服务商以及软件厂商的生态支持。

如果拿不到产品设计订单、缺少生态配合，该方案就只能停留在内存架构构想层面，无法成为存储行业真正的技术突破。因此，行业观察者都在密切等待铠侠公布产品落地订单消息，这将验证在内存密集型AI工作负载中，用NAND替代DRAM这套技术设想是否可行。

在拿到实际落地成果之前，铠侠开辟中间技术路线、把闪存打造为介于DRAM与传统存储之间的内存层级，这件事依旧处在推进过程中。虽然这款尚未正式发布的模块的技术细节已经在存储行业引发热议，但闪存想要真正成为HBM的配套替代方案，还必须开辟一条差异化的营收赛道。