混合键合再起，有望成为先进封装扩产主流路线

DIGITIMES分析师Luke Lin近日表示，混合键合技术或将成为2027‑2028年先进封装产能扩张的核心驱动力。

混合键合重回行业焦点

2026年中国台湾半导体展期间，行业目光主要集中在共封装光学（CPO）/ 基板上板载硅光芯片（CoPoS）以及面板级封装技术，但Luke Lin表示，他更加看好混合键合技术。这项技术并非新鲜事物。受高带宽内存（HBM）堆叠需求推动，市场已经对其讨论多年。不过SK海力士、三星电子和美光相继确认，HBM4与HBM4E暂不采用混合键合之后，业界对该技术的热度有所降温。

Luke Lin称，混合键合并未退出产业舞台。未来服务器CPU、AI GPU、AI专用ASIC、CPO以及硅光产品，都需要更高密度的3D堆叠与芯片间互连，因此混合键合很可能在2027‑2028年，重新成为先进封装扩产的主流技术方向。

SRAM堆叠成为重要拉动因素

Luke Lin表示，混合键合最明确的落地场景之一，就是SRAM与计算芯片的3D堆叠。AMD已经通过提升SRAM容量来提高服务器CPU性能，英特尔也正在为Diamond Rapids服务器产品大规模增加SRAM。

如果直接在计算芯片上集成SRAM，会挤占逻辑电路面积，反而损害芯片性能。因此，将SRAM堆叠在计算单元的上方和下方，是更可行的技术路线。英特尔对应的3D集成方案为Foveros Direct，台积电则是SoIC，二者底层都依赖混合键合技术。

Luke Lin提到，AMD、Nvidia、Google规划在2028年前后量产的AI计算芯片，以及各家AI ASIC产品路线图，都可能大规模采用SRAM堆叠，这将拉动混合键合的市场需求。

CPO与硅光技术进一步助推发展

除CPU与AI芯片之外，Luke Lin还重点提到CPO和硅光。硅光系统一般会集成光子集成电路（PIC）与电子集成电路（EIC），二者需要高密度集成，混合键合也是实现该集成的主流方案。

台积电也在半导体展相关活动上表示，CPO有望在2028年迎来大规模增长。Luke Lin指出，Nvidia Spectrum‑X交换机产品线的部分产品已经用上CPO，但受维修、质保、替换流程还需要匹配客户实际需求的影响，早期客户落地进度不及预期。

受此影响，台积电2026年SoIC扩产规模会低于最初规划，但2027年末至2028年会重回激进扩产节奏。Luke Lin认为，基板上芯片（CoWoS）仍会持续扩产，但未来几年增速或将落后于SoIC；原因在于CoWoS基数已经很高，而SoIC尚处在较低起点。

HBM5或将更早催生相关需求

Luke Lin称，虽然HBM4、HBM4E暂缓导入混合键合，但到HBM5世代采用该技术的可能性大幅提升。根据现有产品路线，三星可能会在16层堆叠的HBM5产品中使用混合键合；SK海力士与美光则或将在20层以上的HBM5产品上落地该技术。

HBM5需要混合键合，主要为了解决容量、I/O带宽以及散热三大难题。更大容量需要更多堆叠层数，但堆叠过高会降低封装良率；更高I/O带宽要求互连触点密度提升，混合键合可以缩小键合间距，同等面积下容纳更多触点；同时键合层间隙更小，也能够改善散热表现。

Luke Lin预计HBM5大约2028年实现量产，也就意味着混合键合设备与配套材料的需求，会提前在2027‑2028年就开始显现。

英特尔EMIB‑T面临利润率考验

谈及先进封装行业竞争，Luke Lin引用英特尔CFO此前发言：英特尔EMIB‑T先进封装业务的目标毛利率约40%，营业利润率约30%。

对比来看，台积电并未单独披露先进封装业务的毛利率。但Luke Lin表示，从过往财报电话会议信息判断，CoWoS的毛利率正在逐步向公司整体毛利率靠拢。如果台积电2026年整体毛利率高于65%，其先进封装业务毛利率或许已经超过60%。

市场普遍观点认为，英特尔EMIB‑T无需完整中介层，相比CoWoS具备成本优势。但Luke Lin表示实际情况并非如此：EMIB‑T把更多工作转移到IC基板端，会让基板设计复杂度上升，良率挑战也随之加大。

部分基板供应商透露，客户可接受的基板初期良率目标仅为50%。这说明EMIB‑T从材料到封装的综合成本压力并不低。Luke Lin总结，英特尔EMIB‑T真正的优势，未必是底层架构带来的天然低成本，而是愿意接受更低利润率，以此争取客户、抢占市场。

他表示，下一阶段先进封装的竞争，不再只是技术路线的比拼，更是良率、材料、基板供应链以及商业模式的综合较量。